紅外熱成像技術(shù)在軍事領(lǐng)域中的應(yīng)用

引言 s)3Co
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紅外熱成像技術(shù)在軍事上有著重要的應(yīng)用，已成為現(xiàn)代戰(zhàn)爭(zhēng)中的關(guān)鍵技術(shù)。國(guó)內(nèi)外都非常重視紅外成像技術(shù)的發(fā)展，半個(gè)世紀(jì)以來，紅外成像技術(shù)在偵察、監(jiān)視、瞄準(zhǔn)、射擊指揮和制導(dǎo)等方面的應(yīng)用要求越來越高，許多國(guó)家為加強(qiáng)自身防御能力和提高夜戰(zhàn)水準(zhǔn)，不僅把熱成像技術(shù)作為現(xiàn)代先進(jìn)武器裝備的重要技術(shù)納入國(guó)防發(fā)展戰(zhàn)略，而且加大研制經(jīng)費(fèi)。紅外熱成像技術(shù)在軍事和民用上都得到了迅猛發(fā)展。 &.yX41R  
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一、紅外熱成像技術(shù) 3AP=  
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1、概念： XmVst*2=  
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紅外熱成像技術(shù)是以接收景物自身各部分輻射 的紅外線來進(jìn)行探測(cè)，利用景物自身各部分輻射的差異獲得圖像的細(xì)節(jié)，其實(shí)質(zhì)是一種波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)，即把紅外輻射圖像轉(zhuǎn)換為可視圖像的技術(shù)，同時(shí)，由大氣透紅外性質(zhì)和目標(biāo)自身輻射所決定，紅外熱成像技術(shù)通常采用3～5 μm和8～14 μm兩個(gè)波段內(nèi)工作。 tNqSCjQ~_c  
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2、特點(diǎn)： )FA:
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熱成像技術(shù)既克服了主動(dòng)紅外夜視需要依靠人工熱輻射，并由此產(chǎn)生容易自我暴露的缺點(diǎn)，又克服了被動(dòng)微光夜視完全依賴于環(huán)境自然光和無光不能成像的缺點(diǎn)；紅外熱成像儀器和系統(tǒng)具有透過煙、霧、塵、雪以及識(shí)別偽裝的能力，不受戰(zhàn)場(chǎng)上強(qiáng)光、眩光干擾 Ps0<CUyI  
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而致盲，可以進(jìn)行遠(yuǎn)距離、全天候觀察。這些特點(diǎn)使它特別適合于軍事應(yīng)用，正因?yàn)槿绱�，一些技術(shù)發(fā)達(dá)的國(guó)家，特別是美、英、法、俄等國(guó)競(jìng)相研究熱成像技術(shù)，以巨大的人力、物力進(jìn)行開發(fā)，發(fā)展十分迅速。 {pre|r\  
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二、紅外探測(cè)器 MR@Qn[RdM  
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熱成像技術(shù)的發(fā)展過程是與紅外探測(cè)器的發(fā)展密切相關(guān)的，可以說紅外探測(cè)器是熱成像技術(shù)的核心，探測(cè)器的技術(shù)水平?jīng)Q定了熱成像的技術(shù)水平。 })PU`?f  
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1、典型規(guī)模： I+^iOa  
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目前，紅外探測(cè)器通常被分為三代：  第一代以分立型為主，元數(shù)在103元以下。有線列和小面陣結(jié)構(gòu)，代表產(chǎn)品有：美國(guó)的60元、120元、180元光導(dǎo)HgCdTe器件；法國(guó)5×11元光伏HgCdTe器件；英國(guó)4條(或8條)掃積型HgCdTe器件等；  第二代為掃描型和凝視型焦平面結(jié)構(gòu)，在美國(guó)出現(xiàn)LADAⅠ、LADAⅡ、LADAⅢ型陣列應(yīng)用的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的焦平面陣列，規(guī)模在103～106元，其代表產(chǎn)品有4×240元，4×480元和256×256元，320×240元等；  第三代以凝視型為主，規(guī)模在106元以上，且強(qiáng)調(diào)雙波長(zhǎng)(雙色)或多波長(zhǎng)(多色)響應(yīng)和更強(qiáng)的智能化邏輯處理功能，以及價(jià)格較低的非制冷焦平面陣列等。  30多年來，紅外探測(cè)器技術(shù)經(jīng)歷了第一代向第二代的演變，目前，正在由第二代陣列技術(shù)向第三代微型化高密度和高性能紅外焦平面陣列技術(shù)的方向發(fā)展。國(guó)內(nèi)外各有關(guān)公司廠家研究機(jī)構(gòu)著眼于未來的市場(chǎng)需求，現(xiàn)已把注意力轉(zhuǎn)向第三代紅外焦平面陣列探測(cè)器的發(fā)展上。 bq5we*"V  
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2、第三代紅外探測(cè)器： hSps9*y  
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從以上規(guī)�？梢钥闯�，探測(cè)器發(fā)展到先進(jìn)的第三代成像探測(cè)器，其性能指標(biāo)都要求高，按照西方第三代成像傳感器系統(tǒng)的概念，紅外探測(cè)器按戰(zhàn)技術(shù)性能可大致分為3類： z^/9YzA!6  
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A、微型探測(cè)器： BP&]t1p  
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(1) 像素尺寸：320×240像元時(shí)為25 μm，640 x512像元時(shí)為17um； UH(w, R`  
(2) 陣列規(guī)模：320×240像元，可發(fā)展到640×512像元與1024 x768像元；   
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(3) 噪聲等效溫差：<50 mK； 6