另一類是采用體硅微機(jī)械工藝制作(如圖2所示)，一般采用深反應(yīng)離子刻蝕(DRIE)方法去除像素下方的硅襯底釋放像素陣列，紅外輻射能無(wú)遮擋地入射到像素結(jié)構(gòu)中的紅外吸收層上，大幅提高了紅外輻射的利用率；由于像素結(jié)構(gòu)下的硅襯底被去除，避免了像素和襯底的粘連；但是深反應(yīng)離子刻蝕過程中高能粒子的轟擊會(huì)對(duì)像素結(jié)構(gòu)帶來(lái)一定程度的損傷，去除像素下方的硅襯底會(huì)造成器件的機(jī)械強(qiáng)度下降；另外如果像素下方的硅襯底被全部去除時(shí)，像素之間會(huì)有嚴(yán)重的熱串?dāng)_。 

在目前的方案中，可見光反射層通常直接沉積在紅外吸收層之上，一方面由于雙材料效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致可動(dòng)微鏡形變，導(dǎo)致器件靈敏度下降；另一方面，可見光反射層面積占整個(gè)像素面積的比例較小，像素間無(wú)讀出信號(hào)的空間較大，像素可見光利用率低。 

因此，目前的制作方法，還不能同時(shí)滿足光學(xué)讀出紅外探測(cè)器對(duì)器件機(jī)械強(qiáng)度、熱串?dāng)_、像素的無(wú)損釋放、紅外輻射利用率、可動(dòng)微鏡平整度和可見光利用率等方面的要求。