近期，蘭州大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院田永輝教授課題組與澳大利亞皇家墨爾本理工大學(xué)（RMIT）Arnan Mitchell教授課題組及上海交通大學(xué)蘇翼凱教授課題組合作，在薄膜鈮酸鋰晶圓的表面沉積一層氮化硅薄膜，通過成熟的CMOS兼容工藝刻蝕氮化硅層可以得到氮化硅-鈮酸鋰異質(zhì)脊型波導(dǎo)，解決了直接刻蝕鈮酸鋰薄膜帶來的波導(dǎo)側(cè)壁角度等問題，并基于該波導(dǎo)實(shí)現(xiàn)了高性能的模式和偏振復(fù)用器件。相關(guān)結(jié)果以“Mode and Polarization-division multiplexing based on silicon nitride loaded lithium niobate on insulator platform”為題在線發(fā)表在Laser & Photonics Reviews上，并將于當(dāng)期Front Cover做簡(jiǎn)要介紹。蘭州大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院博士生韓旭為論文第一作者，田永輝教授為論文通訊作者，皇家墨爾本理工大學(xué)任光輝博士為論文共同通訊作者。