復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊(duì)開(kāi)創(chuàng)研發(fā)了第三類(lèi)存儲(chǔ)技術(shù)。近日，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了具有顛覆性的二維半導(dǎo)體準(zhǔn)非易失存儲(chǔ)原型器件，開(kāi)創(chuàng)了第三類(lèi)存儲(chǔ)技術(shù)，解決了國(guó)際半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)技術(shù)中“寫(xiě)入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。 .
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北京時(shí)間4月10日，相關(guān)工作以《用于準(zhǔn)非易失應(yīng)用的范德瓦爾斯結(jié)構(gòu)半浮柵存儲(chǔ)》(“A semi-floating gate memory based on van der Waals heterostructures for quasi-nonvolatile applications”)為題在線發(fā)表于《自然·納米技術(shù)》。 >Ch2Ep  
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目前半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)技術(shù)主要有兩類(lèi)，第一類(lèi)是易失性存儲(chǔ)，例如計(jì)算機(jī)中的內(nèi)存，掉電后數(shù)據(jù)會(huì)立即消失；第二類(lèi)是非易失性存儲(chǔ)，例如人們常用的U盤(pán)，在寫(xiě)入數(shù)據(jù)后無(wú)需額外能量可保存10年。前者可在幾納秒左右寫(xiě)入數(shù)據(jù)，第二類(lèi)電荷存儲(chǔ)技術(shù)需要幾微秒到幾十微秒才能把數(shù)據(jù)保存下來(lái)。 _l)3pm6  
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此次研發(fā)的新型電荷存儲(chǔ)技術(shù)，既滿足了10納秒寫(xiě)入數(shù)據(jù)速度，又實(shí)現(xiàn)了按需定制(10秒-10年)的可調(diào)控?cái)?shù)據(jù)準(zhǔn)非易失特性。這種全新特性不僅在高速內(nèi)存中可以極大降低存儲(chǔ)功耗，同時(shí)還可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)有效期截止后自然消失，在特殊應(yīng)用場(chǎng)景解決了保密性和傳輸?shù)拿�盾�?span style="display:none"> O\q6T7bfRW  
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二維材料的新組合在其中發(fā)揮了關(guān)鍵作用。 ^VzhjKSu  
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