復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊(duì)開創(chuàng)研發(fā)了第三類存儲技術(shù)。近日，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了具有顛覆性的二維半導(dǎo)體準(zhǔn)非易失存儲原型器件，開創(chuàng)了第三類存儲技術(shù)，解決了國際半導(dǎo)體電荷存儲技術(shù)中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。 <D!\"C  
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北京時間4月10日，相關(guān)工作以《用于準(zhǔn)非易失應(yīng)用的范德瓦爾斯結(jié)構(gòu)半浮柵存儲》(“A semi-floating gate memory based on van der Waals heterostructures for quasi-nonvolatile applications”)為題在線發(fā)表于《自然·納米技術(shù)》。 cr_Q,
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目前半導(dǎo)體電荷存儲技術(shù)主要有兩類，第一類是易失性存儲，例如計(jì)算機(jī)中的內(nèi)存，掉電后數(shù)據(jù)會立即消失；第二類是非易失性存儲，例如人們常用的U盤，在寫入數(shù)據(jù)后無需額外能量可保存10年。前者可在幾納秒左右寫入數(shù)據(jù)，第二類電荷存儲技術(shù)需要幾微秒到幾十微秒才能把數(shù)據(jù)保存下來。 MX.=k>  
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此次研發(fā)的新型電荷存儲技術(shù)，既滿足了10納秒寫入數(shù)據(jù)速度，又實(shí)現(xiàn)了按需定制(10秒-10年)的可調(diào)控?cái)?shù)據(jù)準(zhǔn)非易失特性。這種全新特性不僅在高速內(nèi)存中可以極大降低存儲功耗，同時還可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)有效期截止后自然消失，在特殊應(yīng)用場景解決了保密性和傳輸?shù)拿�盾�?span style="display:none"> q>X%MN y  
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二維材料的新組合在其中發(fā)揮了關(guān)鍵作用。 .sk$