二硫化鉭可作超快存儲(chǔ)器機(jī)制獲解
最近,俄羅斯國(guó)家研究型技術(shù)大學(xué)莫斯科國(guó)立鋼鐵合金學(xué)院(NUST MISIS)工作人員提出了一種層狀二硫化鉭隱藏潛在狀態(tài)的形成理論,從而確證了二硫化鉭可用來(lái)長(zhǎng)期儲(chǔ)存信息,并能以超快速度處理信息。相關(guān)論文發(fā)表在《科學(xué)報(bào)告》雜志上。
二硫化鉭是一種富有前景的現(xiàn)代微電子材料。謝爾蓋·布拉佐夫斯基2014年與斯洛文尼亞的同行一起,發(fā)現(xiàn)了其隱藏潛在狀態(tài)。他們用超短激光或電子脈沖照射尺寸小于100納米的二硫化鉭樣本,使樣本從絕緣體變成了導(dǎo)體(或者相反),轉(zhuǎn)變速度比現(xiàn)代計(jì)算機(jī)中充作記憶載體的最快材料還要快幾倍,且狀態(tài)在受照射后并未消失,而是保存下來(lái)。由此顯示,這種材料有潛力成為新一代信息載體的候選。 研究人員解釋?zhuān)骸霸谒孤逦哪醽喭邪l(fā)現(xiàn)物質(zhì)在普通相位躍遷時(shí)所無(wú)法達(dá)到的隱藏潛在狀態(tài)后,各種雜志中涌現(xiàn)出一大波這方面的科研文章。但是,大量文章只是試驗(yàn)性的,而理論滯后。也就是說(shuō),在許多實(shí)驗(yàn)室中都可以得到這種狀態(tài),但為何得到的恰好就是這種狀態(tài),它的形成機(jī)制如何,整體而言它的性質(zhì)如何,仍不得而知,F(xiàn)在,我們探尋了發(fā)生過(guò)程的理論基礎(chǔ)!边@一理論模型可用于描述新發(fā)現(xiàn)狀態(tài)的最重要的性質(zhì):納米結(jié)構(gòu)鑲嵌塊的形成和轉(zhuǎn)變。 |