半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)主要分為 IC 設(shè)計(jì)、 IC 制造、 IC 封測三大環(huán)節(jié)。 IC 設(shè)計(jì)主要根據(jù)芯片的設(shè)計(jì)目的進(jìn)行邏輯設(shè)計(jì)和規(guī)則制定,并根據(jù)設(shè)計(jì)圖制作掩模以供后續(xù)光刻步驟使用。 IC 制造實(shí)現(xiàn)芯片電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上,并實(shí)現(xiàn)預(yù)定的芯片功能,包括光刻、刻蝕、離子注入、薄膜沉積、化學(xué)機(jī)械研磨等步驟。 IC 封測完成對芯片的封裝和性能、功能測試,是產(chǎn)品交付前的最后工序。
iaeNY;T QOSMV#Nw% 9&AO 芯片制造核心工藝主要設(shè)備全景圖
jYRSV7d 光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟,耗時(shí)長、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上,這一過程通過光刻來實(shí)現(xiàn), 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。芯片在生產(chǎn)中需要進(jìn)行 20-30 次的光刻,耗時(shí)占到 IC 生產(chǎn)環(huán)節(jié)的 50%左右,占芯片生產(chǎn)成本的 1/3。
V3q`V/\ 5)lcgvp 光刻工藝流程詳解
W/>a 1 \GxqE8 光刻的原理是在硅片表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠,再用光線(一般是紫外光、深紫外光、極紫外光)透過掩模照射在硅片表面,被光線照射到的光刻膠會發(fā)生反應(yīng)。此后用特定溶劑洗去被照射/未被照射的光刻膠, 就實(shí)現(xiàn)了電路圖從掩模到硅片的轉(zhuǎn)移。
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