隨著微納米技術(shù)向光學(xué)領(lǐng)域的擴展，微納光學(xué)結(jié)構(gòu)的制造技術(shù)已成為現(xiàn)代先進(jìn)制造的重要方向，其水平高低也是體現(xiàn)一個國家綜合實力的標(biāo)志之一。如何研制出面向微納光學(xué)結(jié)構(gòu)制造的光刻裝備成為相關(guān)領(lǐng)域科技工作者追求的目標(biāo)。 )wC?T  
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　　11月29日，由中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所（以下簡稱光電所）承擔(dān)的國家重大科研裝備研制項目“超分辨光刻裝備研制”通過驗收，該裝備用365nm波長的紫外光單次成像實現(xiàn)了22nm的分辨率，為光學(xué)超材料/超表面、第三代光學(xué)器件、傳感芯片等納米光學(xué)加工提供了全新的解決途徑。 kW;+|qs^  
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　　突破分辨力衍射極限 ,{M^-3C  
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　　光學(xué)光刻作為主流的微電子芯片制造技術(shù)，具有獨特的優(yōu)勢。需要不斷地通過縮短波長、增大數(shù)值孔徑提高分辨力，來滿足微電子技術(shù)的發(fā)展。 &J[:awQX  
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