隨著集成電路設(shè)計(jì)和制造進(jìn)入超深亞微米(VDSM)階段，特征尺寸已經(jīng)接近甚至小于光刻工藝中所使用的光波波長(zhǎng)，因此光刻過(guò)程中，由于光的衍射和干涉現(xiàn)象，實(shí)際硅片上得到的光刻圖形與掩膜版圖形之間存在一定的變形和偏差，光刻中的這種誤差直接影響電路性能和生產(chǎn)成品率．為盡量消除這種誤差，一種有效的方法是光學(xué)鄰近效應(yīng)矯E_(oPc)方法．目前由于OPC矯正處理時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，產(chǎn)生的文件大小呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，使掩膜版的制造成本成倍地增加．文中首先針對(duì)OPC矯正技術(shù)進(jìn)行了深入研究，提出了具有圖形分類預(yù)處理功能的自適應(yīng)OPC矯正技術(shù)，將芯片圖形按其對(duì)性能的影響分為關(guān)鍵圖形與一般圖形，對(duì)兩類圖形采用不同的容差，提高了OPC處理效率．其次，提出并實(shí)現(xiàn)了圖形分段分類的基于模型的OPC矯正算法，在保證矯正精度的同時(shí)提高了矯正的效率．提出了具有通用性、簡(jiǎn)潔性和全面性的OPC矯正規(guī)則，在此基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了規(guī)則庫(kù)的自動(dòng)建立和規(guī)則庫(kù)的查找與應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)了效率高、擴(kuò)展性強(qiáng)的基于規(guī)則的掩膜版矯正算法．算法對(duì)規(guī)則數(shù)據(jù)進(jìn)行有效地描述、存儲(chǔ)和處理，提高了光刻矯正技術(shù)實(shí)際應(yīng)用效率．第三，設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了高效、高精度的光學(xué)鄰近效應(yīng)矯正系統(tǒng)MR—OPC，系統(tǒng)綜合應(yīng)用了基于規(guī)則的OPC矯正技術(shù)和基于模型的OPC矯正技術(shù)，很好地解決了矯正精度和矯正效率之間的矛盾，取得了最佳的矯正優(yōu)化結(jié)果。 1x)%9u}
