設(shè)備  OTFG1300    17cm RF源  電子槍，鍍膜材料及IAD參數(shù)：OS-50(BV 400v,BI 550mA    / 硅鋁混合物(BV:300V,BI 450mA) LYke\/ md  
目前環(huán)測(cè)無(wú)問(wèn)題，但85℃水煮15-20分鐘就會(huì)膜層脫落明顯低于霍爾源所做產(chǎn)品，且強(qiáng)光照射1000小時(shí)膜層脫落，環(huán)測(cè)條件如下： T`2a)  
1、高溫高濕存儲(chǔ)：70℃；90+/-5% RH ；72H. *pYawT  
2、高低溫沖擊：50次；-40℃~100℃； Ov;q]Vn>  
T1=T2=0.5H（恒溫時(shí)間）T3=5min（溫度切換時(shí)間） C'6c,  
3、高溫烘烤：100℃，24H :0kKw=p1R  
環(huán)測(cè)后不可出現(xiàn)膜裂，脫膜和其他膜層異�，F(xiàn)象； %RIlu[J  
環(huán)測(cè)前后需符合鍍膜附著力測(cè)試要求：同一位置分別用3M膠帶貼緊 2i$_ ,[fi  
并迅速撕開(kāi)重復(fù)三次無(wú)膜脫落 >-j(
[%  

AHzm9U @  
求助有沒(méi)有朋友使用過(guò)此機(jī)臺(tái)做過(guò)塑膠鏡片，交流下離子源參數(shù)

硅鋁不開(kāi)離子源試試

這種條件就該用霍爾源做。 +I@2,T(eG  
鍍膜前先用離子源轟擊一下， 0x# V   
然后氧化鋁打底， k>=wwPy  
離子源電壓稍微高一點(diǎn)，電流開(kāi)最大。 TA+#{q+a  
以片子不變形為限

我這里最近也在做這個(gè)實(shí)驗(yàn)，H4 SIO2   6層膜  H4打底，且H4層都比較薄。  會(huì)出現(xiàn)膜裂情況，而且膜裂幾率挺高的。   fVYv 2  
鍍膜溫度80℃。  是不是得換下試料，或者降低溫度？  溫度越高 結(jié)合力越好？

聽(tīng)人說(shuō)樹(shù)脂鏡片，  鍍膜設(shè)備要配CP。  我的機(jī)器配的DP，我這正抽空做實(shí)驗(yàn)了。

sosjinyan:我這里最近也在做這個(gè)實(shí)驗(yàn)，H4 SIO2   6層膜  H4打底，且H4層都比較薄。  會(huì)出現(xiàn)膜裂情況，而且膜裂幾率挺高的。   16I(S  
鍍膜溫度80℃。  是不是得換下試料，或者降低溫度？  溫度越高 結(jié)合力越好？ (2019-04-30 17:03)  GF
Rd:e  

UOIZ8Po  
如果不掉膜只是裂應(yīng)該是應(yīng)力問(wèn)題，考慮換材料和調(diào)整蒸發(fā)參數(shù)，樹(shù)脂片一定要IAD的

ouyuu:這種條件就該用霍爾源做。 AuYi$?8|5  
鍍膜前先用離子源轟擊一下， k07) g:_  
然后氧化鋁打底， @.i
OFY  
離子源電壓稍微高一點(diǎn)，電流開(kāi)最大。 >Y< y]vM:  
以片子不變形為限 (2019-04-27 22:01)  ?0Ca-T Rz  

9~mi[l~  
謝謝！我先試下，但根據(jù)以往測(cè)試發(fā)現(xiàn)霍爾源做的產(chǎn)品耐高溫性能差一些

zm8339:硅鋁不開(kāi)離子源試試 (2019-04-24 17:06)  V!U[N.&$  

r&3fSx9  
不開(kāi)試過(guò)了，沒(méi)有發(fā)現(xiàn)明顯差異，倒是加大低折射材料的離子束能量有改善，懷疑還是應(yīng)力匹配的問(wèn)題

hl594566271:如果不掉膜只是裂應(yīng)該是應(yīng)力問(wèn)題，考慮換材料和調(diào)整蒸發(fā)參數(shù)，樹(shù)脂片一定要IAD的 (2019-05-08 17:05)  I(CI')Q  

e](=)h|  
多謝， 準(zhǔn)備換ZRO2。我了解的一個(gè)公司，樹(shù)脂鏡片工藝，用的CP泵，沒(méi)用離子源。 想問(wèn)問(wèn)不用離子源，影響大嗎？   我的機(jī)器倒是配了，霍爾離子源，但是非常不好用，鍍10鍋（AR膜），槍絲就斷了。 我感覺(jué)槍絲使用時(shí)間太短了。 ]x