設(shè)備  OTFG1300    17cm RF源  電子槍，鍍膜材料及IAD參數(shù)：OS-50(BV 400v,BI 550mA    / 硅鋁混合物(BV:300V,BI 450mA) y7L4jO9h  
目前環(huán)測無問題，但85℃水煮15-20分鐘就會膜層脫落明顯低于霍爾源所做產(chǎn)品，且強光照射1000小時膜層脫落，環(huán)測條件如下： t;~`Lm@hY  
1、高溫高濕存儲：70℃；90+/-5% RH ；72H. Q8/0Cb/  
2、高低溫沖擊：50次；-40℃~100℃； W;@ae,^  
T1=T2=0.5H（恒溫時間）T3=5min（溫度切換時間） LkbvA  
3、高溫烘烤：100℃，24H co%_~xO  
環(huán)測后不可出現(xiàn)膜裂，脫膜和其他膜層異�，F(xiàn)象； hy`)]>9z~  
環(huán)測前后需符合鍍膜附著力測試要求：同一位置分別用3M膠帶貼緊 +Q#Qu0_   
并迅速撕開重復(fù)三次無膜脫落 \rnG 1o  
*L8HC8IbH  
求助有沒有朋友使用過此機臺做過塑膠鏡片，交流下離子源參數(shù)

硅鋁不開離子源試試

這種條件就該用霍爾源做。 #]/T9:  
鍍膜前先用離子源轟擊一下， M{RZ-)IC  
然后氧化鋁打底， yQ&%* ?J  
離子源電壓稍微高一點，電流開最大。 R'HA>?D  
以片子不變形為限

我這里最近也在做這個實驗，H4 SIO2   6層膜  H4打底，且H4層都比較薄。  會出現(xiàn)膜裂情況，而且膜裂幾率挺高的。   O!Cu.9}  
鍍膜溫度80℃。  是不是得換下試料，或者降低溫度？  溫度越高 結(jié)合力越好？

聽人說樹脂鏡片，  鍍膜設(shè)備要配CP。  我的機器配的DP，我這正抽空做實驗了。

sosjinyan:我這里最近也在做這個實驗，H4 SIO2   6層膜  H4打底，且H4層都比較薄。  會出現(xiàn)膜裂情況，而且膜裂幾率挺高的。