一個近乎完美的晶體管是由2D材料疊加而成的，且只有兩個原子厚的半導(dǎo)體層。2D材料具有推動半導(dǎo)體發(fā)展的潛力，但制造具有良好電接觸和穩(wěn)定性能的2D器件是一項巨大的挑戰(zhàn)。 T,a{mi.hNR  
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哥倫比亞工程公司（Columbia Engineering）的研究人員表示稱，與采用傳統(tǒng)工藝制造的2D半導(dǎo)體相比他們的方法對性能做出了極大改變，更重要的是，未來可以創(chuàng)建超潔凈設(shè)備提供可擴展的平臺。 MIl\Bn  
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電氣工程助理教授James Teherani說：“用2D材料制作設(shè)備是一項復(fù)雜的工作，設(shè)備在不同的運行環(huán)境中差別很大而且經(jīng)常會快速降級，以至于在您測量它們時，會看到性能的下降。” g'T L`=O  
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該團隊創(chuàng)建了一個兩步驟的超清潔納米制造過程，將“混亂”的制造步驟(包括“骯臟”的金屬化、化學(xué)物質(zhì)和用于與器件形成電氣連接的聚合物)與有源半導(dǎo)體層分離開來。一旦他們完成了混亂的制造，他們可以拿起觸點并把它們轉(zhuǎn)移到干凈的有源器件層保持兩層的完整性。 h(}#s1Fzq  
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阿西特（Assit）教授Teherani說：“這些半導(dǎo)體的薄度是福也是禍。雖然薄度允許它們透明并且可以拾取并放置在任何你想要的地方，這也意味著它幾乎零體積，設(shè)備幾乎完全是表面的。正因為如此，任何表面污垢或污染都會使設(shè)備退化�！� {yT<22Fl  
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目前，大多數(shù)設(shè)備沒有封裝一層保護表面和接觸在制造過程中免受污染。該團隊表明，他們的方法現(xiàn)在不僅可以保護半導(dǎo)體層，使其不會隨著時間的推移而出現(xiàn)性能下降，而且還可以產(chǎn)生高性能器件。該團隊使用嵌入絕緣六方氮化硼（h-BN）中的金屬轉(zhuǎn)移觸點，然后將接觸層干式轉(zhuǎn)移到2D半導(dǎo)體上，2D半導(dǎo)體在氮氣手套箱內(nèi)保持原始狀態(tài)。該過程防止直接金屬化引起的損壞，同時提供封裝以保護器件。 Lw^%<.DM+t  
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據(jù)了解，研究人員對此近日已經(jīng)開發(fā)出一個穩(wěn)定可循環(huán)的過程，他們正在利用該平臺制造出能夠從實驗室移出實際工程問題的設(shè)備。 S/y(1.wh  
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阿西特（Assit）教授Teherani補充說：“高性能2D器件的開發(fā)需要制造半導(dǎo)體材料的進一步提升，像我們這樣更精確的工具將使我們能夠構(gòu)建更復(fù)雜的結(jié)構(gòu)，具有潛在的更強大的功能和更好的性能。”（via：Newelectronics 編譯者：栗子）