高德紅外制冷探測(cè)器獲突破 促進(jìn)我國(guó)芯片核心能力提升
高德紅外今天發(fā)布公告,國(guó)家技術(shù)轉(zhuǎn)移中部中心近期組織行業(yè)專家對(duì)公司研制的“1280×1024規(guī)模、12μm像元尺寸的碲鎘汞制冷型紅外焦平面陣列探測(cè)器”項(xiàng)目進(jìn)行了評(píng)價(jià),專家組一致認(rèn)為該成果整體達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,具備紅外探測(cè)器產(chǎn)業(yè)化的基礎(chǔ),是典型的高新技術(shù)軍民兩用產(chǎn)品,具有良好的社會(huì)效益和經(jīng)濟(jì)效益前景,建議進(jìn)一步加快延伸開(kāi)發(fā)及推廣應(yīng)用。 芯片產(chǎn)業(yè)公告稱,公司使用高質(zhì)量的材料,高精度的芯片加工和低噪聲的電路設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了小像元、百萬(wàn)像素的技術(shù)突破。 |