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    [求助]IBS鍍制的TA2O5折射率過高的原因 [復(fù)制鏈接]

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    離線tcyt333
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    只看該作者 10樓 發(fā)表于: 2019-08-13
    回 morningtech 的帖子
    morningtech:如果測量和反演沒大的問題,可考慮致密度大于100%。 ;|RTx  
    離子濺射,伴隨反應(yīng)過程,氧鉆入膜層反應(yīng),化合物來不及遷移,可能會帶來致密度比體材料還大。 t7pFW^&  
    這點(diǎn)可以通過高溫退火(烘烤)來觀察。退火后,會測量到折射率下降,可伴隨厚度增加。
    膜林科技,專業(yè)的光學(xué)真空鍍膜膜厚控制系統(tǒng) .. (2019-08-13 10:55)  $xqa{L%B  
    gr{ DWCK  
    這到是有可能,我是雙離子源,輔助離子源用的氧氣,束流較大,很可能就像你說的,氧鉆入膜層內(nèi)來不及遷移。
    離線tcyt333
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    只看該作者 11樓 發(fā)表于: 2019-08-13
    回 morningtech 的帖子
    morningtech:如果測量和反演沒大的問題,可考慮致密度大于100%。 `uFdwO'DD  
    離子濺射,伴隨反應(yīng)過程,氧鉆入膜層反應(yīng),化合物來不及遷移,可能會帶來致密度比體材料還大。 /z!%d%"  
    這點(diǎn)可以通過高溫退火(烘烤)來觀察。退火后,會測量到折射率下降,可伴隨厚度增加。
    膜林科技,專業(yè)的光學(xué)真空鍍膜膜厚控制系統(tǒng) .. (2019-08-13 10:55)  H|*m$| $,  
    4 5e~6",  
    我烘烤后的光譜會紅移5nm左右,應(yīng)該不算高吧?
    離線morningtech
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    只看該作者 12樓 發(fā)表于: 2019-08-14
    這種退火后會對光譜影響,要看你的產(chǎn)品能否接受。 . vV|hSc  
    如果這種解釋有點(diǎn)道理(因?yàn)榛衔飦聿患斑w移而帶來的致密度大于體材料),那么降低沉積速率的話,致密度將更接近體材料,產(chǎn)品退火前后將更一致。 3mgD(,(^  
    離線13542049677
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    只看該作者 13樓 發(fā)表于: 2020-03-21
    [s:5niu Ac@VGT:9  
    7!