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    [討論]關(guān)于電子槍與晶控系統(tǒng)之間的關(guān)系問題 [復(fù)制鏈接]

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    離線qqcheng
     
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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2019-07-14
    關(guān)鍵詞: 晶控電子槍
    假定我們?cè)?span onclick="sendmsg('pw_ajax.php','action=relatetag&tagname=晶控',this.id)" style="cursor:pointer;border-bottom: 1px solid #FA891B;" id="rlt_1">晶控系統(tǒng)中常有設(shè)置材料輸出功率上限和速率一說,但是但實(shí)際鍍膜過程中我們會(huì)看到例如材料蒸發(fā)到一定厚度,會(huì)有鉆坑,這時(shí)要穩(wěn)定原來的速率也不知道是不是晶控系統(tǒng)受到反饋,從而自動(dòng)提高輸出功率,1.晶控系統(tǒng)的速率設(shè)置是否直接自動(dòng)時(shí)時(shí)控制電子輸出功率;2.那么假定電子槍時(shí)時(shí)輸出功率并不穩(wěn)定,排除電子槍方面問題是不是可以理解為晶控系統(tǒng)方面問題。
     
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    離線morningtech
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    只看該作者 1樓 發(fā)表于: 2019-07-15
    晶控儀測(cè)量速率,并且只能通過調(diào)節(jié)功率來調(diào)整速率(PID)。(調(diào)節(jié)功率來調(diào)整沉積速率,容易理解和實(shí)現(xiàn)。) #.2} t0*]5  
    而無視光斑、掃描、材料多少、真空度等工藝參數(shù),因?yàn)榫Э貎x還沒有調(diào)整這些參數(shù)的手段和方法。 &S[>*+}{+  
    光斑位置,掃描頻率和幅度,材料蒸發(fā)有什么特點(diǎn)、能做多厚膜,材料減少過程中坩堝狀態(tài)會(huì)有哪些變化等等,合理設(shè)置最大功率、最大鍍膜時(shí)間等參數(shù),保護(hù)電子槍和坩堝。這些目前都是工藝人員要掌控的參數(shù)。 r@CbhD  
    K7ZRj\(CJv  
    自動(dòng)情況下,一般是晶控儀的功率輸出(模擬量,如0~10V,在界面上顯示百分比功率)直接接到控制電子槍、阻蒸等的功率控制部分。也有間接連接,最后相當(dāng)于直接控制。 \98|.EG  
    L-|u=c-6  
    膜林晶控-專業(yè)晶控儀生產(chǎn)研制商
    離線qqcheng
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    只看該作者 2樓 發(fā)表于: 2019-07-16
    回 morningtech 的帖子
    morningtech:晶控儀測(cè)量速率,并且只能通過調(diào)節(jié)功率來調(diào)整速率(PID)。(調(diào)節(jié)功率來調(diào)整沉積速率,容易理解和實(shí)現(xiàn)。) G `JXi/#`  
    而無視光斑、掃描、材料多少、真空度等工藝參數(shù),因?yàn)榫Э貎x還沒有調(diào)整這些參數(shù)的手段和方法。 .8Gmy07  
    光斑位置,掃描頻率和幅度,材料蒸發(fā)有什么特點(diǎn)、能做多厚膜,材料減少過程 .. (2019-07-15 19:59)  OEs!