假定我們?cè)?span onclick="sendmsg('pw_ajax.php','action=relatetag&tagname=晶控',this.id)" style="cursor:pointer;border-bottom: 1px solid #FA891B;" id="rlt_1">晶控系統(tǒng)中常有設(shè)置材料輸出功率上限和速率一說(shuō)，但是但實(shí)際鍍膜過(guò)程中我們會(huì)看到例如材料蒸發(fā)到一定厚度，會(huì)有鉆坑，這時(shí)要穩(wěn)定原來(lái)的速率也不知道是不是晶控系統(tǒng)受到反饋，從而自動(dòng)提高輸出功率，1.晶控系統(tǒng)的速率設(shè)置是否直接自動(dòng)時(shí)時(shí)控制電子槍輸出功率；2.那么假定電子槍時(shí)時(shí)輸出功率并不穩(wěn)定，排除電子槍方面問(wèn)題是不是可以理解為晶控系統(tǒng)方面問(wèn)題。

晶控儀測(cè)量速率，并且只能通過(guò)調(diào)節(jié)功率來(lái)調(diào)整速率（PID）。（調(diào)節(jié)功率來(lái)調(diào)整沉積速率，容易理解和實(shí)現(xiàn)。） C'_^DPzj  
而無(wú)視光斑、掃描、材料多少、真空度等工藝參數(shù)，因?yàn)榫Э貎x還沒(méi)有調(diào)整這些參數(shù)的手段和方法。 s5 P~feg  
光斑位置，掃描頻率和幅度，材料蒸發(fā)有什么特點(diǎn)、能做多厚膜，材料減少過(guò)程中坩堝狀態(tài)會(huì)有哪些變化等等，合理設(shè)置最大功率、最大鍍膜時(shí)間等參數(shù)，保護(hù)電子槍和坩堝。這些目前都是工藝人員要掌控的參數(shù)。 08+cNT  
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自動(dòng)情況下，一般是晶控儀的功率輸出（模擬量，如0~10V，在界面上顯示百分比功率）直接接到控制電子槍、阻蒸等的功率控制部分。也有間接連接，最后相當(dāng)于直接控制。 h W<fu  
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膜林晶控-專(zhuān)業(yè)晶控儀生產(chǎn)研制商

morningtech:晶控儀測(cè)量速率，并且只能通過(guò)調(diào)節(jié)功率來(lái)調(diào)整速率（PID）。（調(diào)節(jié)功率來(lái)調(diào)整沉積速率，容易理解和實(shí)現(xiàn)。） ke+3J\;>  
而無(wú)視光斑、掃描、材料多少、真空度等工藝參數(shù)，因?yàn)榫Э貎x還沒(méi)有調(diào)整這些參數(shù)的手段和方法。 J'Z!`R|  
光斑位置，掃描頻率和幅度，材料蒸發(fā)有什么特點(diǎn)、能做多厚膜，材料減少過(guò)程 .. (2019-07-15 19:59)  *an^ 0  

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謝謝您的回復(fù)，想了想假設(shè)參數(shù)條件正常，現(xiàn)觀測(cè)到速率曲線不穩(wěn)定，同時(shí)輸出功率也在波動(dòng)，那么想必蒸發(fā)此材料電子槍輸出功率勢(shì)必也是在不斷調(diào)整中，那么問(wèn)題來(lái)了，也就是您所說(shuō)的有上述原因，因?yàn)椴豢煽匾蛩�，故只能合理變向改善工藝已及根�?jù)材料特性作出對(duì)結(jié)果有利的參數(shù)

有些因素不是不可控，只是對(duì)晶控儀來(lái)說(shuō)不可控。 IbC8DDTD  
沉積速率不穩(wěn)定的原因，有很多方面。 tK|jh  
既有前述一些晶控以外的原因，晶控系統(tǒng)自身也存在原因： by:"aDGK.  
晶振片選擇、探頭清潔、安裝、冷卻、使用情況（如新舊）。PID參數(shù)，甚至晶控儀自身老化。都是原因。 65