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    [討論]關(guān)于電子槍與晶控系統(tǒng)之間的關(guān)系問題 [復(fù)制鏈接]

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    離線qqcheng
     
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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2019-07-14
    關(guān)鍵詞: 晶控電子槍
    假定我們在晶控系統(tǒng)中常有設(shè)置材料輸出功率上限和速率一說,但是但實(shí)際鍍膜過程中我們會看到例如材料蒸發(fā)到一定厚度,會有鉆坑,這時要穩(wěn)定原來的速率也不知道是不是晶控系統(tǒng)受到反饋,從而自動提高輸出功率,1.晶控系統(tǒng)的速率設(shè)置是否直接自動時時控制電子輸出功率;2.那么假定電子槍時時輸出功率并不穩(wěn)定,排除電子槍方面問題是不是可以理解為晶控系統(tǒng)方面問題。
     
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    離線morningtech
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    只看該作者 1樓 發(fā)表于: 2019-07-15
    晶控儀測量速率,并且只能通過調(diào)節(jié)功率來調(diào)整速率(PID)。(調(diào)節(jié)功率來調(diào)整沉積速率,容易理解和實(shí)現(xiàn)。) /Pi{Mv eZM  
    而無視光斑、掃描、材料多少、真空度等工藝參數(shù),因?yàn)榫Э貎x還沒有調(diào)整這些參數(shù)的手段和方法。 ":eHR}Hzx  
    光斑位置,掃描頻率和幅度,材料蒸發(fā)有什么特點(diǎn)、能做多厚膜,材料減少過程中坩堝狀態(tài)會有哪些變化等等,合理設(shè)置最大功率、最大鍍膜時間等參數(shù),保護(hù)電子槍和坩堝。這些目前都是工藝人員要掌控的參數(shù)。 uF@Q8 7G  
    C4Bh#C  
    自動情況下,一般是晶控儀的功率輸出(模擬量,如0~10V,在界面上顯示百分比功率)直接接到控制電子槍、阻蒸等的功率控制部分。也有間接連接,最后相當(dāng)于直接控制。 1(rH5z'F  
    0Ba-VY.H  
    膜林晶控-專業(yè)晶控儀生產(chǎn)研制商
    離線qqcheng
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    只看該作者 2樓 發(fā)表于: 2019-07-16
    回 morningtech 的帖子
    morningtech:晶控儀測量速率,并且只能通過調(diào)節(jié)功率來調(diào)整速率(PID)。(調(diào)節(jié)功率來調(diào)整沉積速率,容易理解和實(shí)現(xiàn)。) ,? <jue/bd  
    而無視光斑、掃描、材料多少、真空度等工藝參數(shù),因?yàn)榫Э貎x還沒有調(diào)整這些參數(shù)的手段和方法。 y%`^* E&  
    光斑位置,掃描頻率和幅度,材料蒸發(fā)有什么特點(diǎn)、能做多厚膜,材料減少過程 .. (2019-07-15 19:59)  K (Z d-U  
    lNls8@  
    謝謝您的回復(fù),想了想假設(shè)參數(shù)條件正常,現(xiàn)觀測到速率曲線不穩(wěn)定,同時輸出功率也在波動,那么想必蒸發(fā)此材料電子槍輸出功率勢必也是在不斷調(diào)整中,那么問題來了,也就是您所說的有上述原因,因?yàn)椴豢煽匾蛩兀手荒芎侠碜兿蚋纳乒に囈鸭案鶕?jù)材料特性作出對結(jié)果有利的參數(shù)
    離線morningtech
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    只看該作者 3樓 發(fā)表于: 2019-07-16
    有些因素不是不可控,只是對晶控儀來說不可控。 P_,f  
    沉積速率不穩(wěn)定的原因,有很多方面。 @C~TD)K  
    既有前述一些晶控以外的原因,晶控系統(tǒng)自身也存在原因: 9 )e`mO*n  
    晶振片選擇、探頭清潔、安裝、冷卻、使用情況(如新舊)。PID參數(shù),甚至晶控儀自身老化。都是原因。 k "'q   
    另一方面,速率穩(wěn)定是相對的,10%以內(nèi)變化一般可以接受。 J$j&j`  
    膜林晶控-專業(yè)晶控儀生產(chǎn)研制商
    離線ouyuu
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    只看該作者 4樓 發(fā)表于: 2019-07-17
    能調(diào)的也就晶控的PID參數(shù)了。 it D%sKo  
    你的情況,如果沒法用大一點(diǎn)的坩堝,那只能分兩個坩堝鍍膜了。 e7>)Z  
    離線qqcheng
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    只看該作者 5樓 發(fā)表于: 2019-07-19
    確實(shí)因素多,忽然想起您說的離子源問題對晶控有影響,這也是光控的好處。以實(shí)際情況排查是最可靠的,遇到過因冷卻情況的,還有晶控線針頭式接觸的,貪圖低價(jià)貨晶振片劃痕,針孔的,頻率降的極快。對了,您能給個聯(lián)系方式我嗎?
    本帖提到的人: @morningtech
    離線qqcheng
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    只看該作者 6樓 發(fā)表于: 2019-07-19
    回 ouyuu 的帖子
    ouyuu:能調(diào)的也就晶控的PID參數(shù)了。 nd3]&occ  
    你的情況,如果沒法用大一點(diǎn)的坩堝,那只能分兩個坩堝鍍膜了。 |GdA0y\v*}  
     (2019-07-17 23:09)  D'fP2?3FK  
    @ RTQJ+ms  
    嗯,您說的也對
    離線morningtech
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    只看該作者 7樓 發(fā)表于: 2019-07-19
    回 qqcheng 的帖子
    qqcheng:確實(shí)因素多,忽然想起您說的離子源問題對晶控有影響,這也是光控的好處。以實(shí)際情況排查是最可靠的,遇到過因冷卻情況的,還有晶控線針頭式接觸的,貪圖低價(jià)貨晶振片劃痕,針孔的,頻率降的極快。對了,您能給個聯(lián)系方式我嗎?[表情]  (2019-07-19 04:54)  oC4rL\d{  
    (]7@0d88  
    晶控首先是觀察者,然后才是控制者。觀察過程受干擾的因素很多,F(xiàn)場分析排查。 B@iIj<p~  
    -F8%U:2a  
    聯(lián)系方式可以去我公司網(wǎng)站找到,百度膜林科技即可,此處不方便留。 TUpEh Q+*  
    ^1*p]j(  
    膜林科技-專業(yè)晶控儀研制商。
    離線morningtech
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    只看該作者 8樓 發(fā)表于: 2019-07-19
    回 qqcheng 的帖子
    qqcheng:嗯,您說的也對 (2019-07-19 04:59)  f3596a  
    `mWg$e,  
    版主可不是浪得虛名。呵。
    離線wflney
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    只看該作者 9樓 發(fā)表于: 2020-05-11
    厚度厚的層分鍋鍍制