RIE是干蝕刻的一種，這種蝕刻的原理是，當(dāng)在平板電極之間施加10～100MHZ的高頻電壓（RF，radio frequency）時(shí)會(huì)產(chǎn)生數(shù)百微米厚的離子層（ion sheath），在其中放入試樣，離子高速撞擊試樣而完成化學(xué)反應(yīng)蝕刻，此即為RIE（Reactive Ion Etching）。 a9ab>2G?FR  
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服務(wù)范圍：半導(dǎo)體，材料化學(xué)等       Os?`!1-  
                                                                               ^n|u$gIF8  
服務(wù)內(nèi)容：1.用于對(duì)使用氟基化學(xué)的材料進(jìn)行各向同性和各向異性蝕刻， 89>U Koc?  
其中包括碳、環(huán)氧樹(shù)脂、石墨、銦、鉬、氮氧化物、光阻劑、聚酰亞胺、 (8<U+)[tPy  
石英、硅、氧化物、氮化物、鉭、氮化鉭、氮化鈦、鎢鈦以及鎢                 /x6,"M[97  
          2.器件表面圖形的刻蝕 ]-$0?/`p8