RIE是干蝕刻的一種，這種蝕刻的原理是，當(dāng)在平板電極之間施加10～100MHZ的高頻電壓（RF，radio frequency）時會產(chǎn)生數(shù)百微米厚的離子層（ion sheath），在其中放入試樣，離子高速撞擊試樣而完成化學(xué)反應(yīng)蝕刻，此即為RIE（Reactive Ion Etching）。 Tx# Mn~xD  
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服務(wù)范圍：半導(dǎo)體，材料化學(xué)等       7&)bJ@1U  
                                                                               M'O <h  
服務(wù)內(nèi)容：1.用于對使用氟基化學(xué)的材料進(jìn)行各向同性和各向異性蝕刻， Dw.J2>uj  
其中包括碳、環(huán)氧樹脂、石墨、銦、鉬、氮氧化物、光阻劑、聚酰亞胺、 }j)e6>K])  
石英、硅、氧化物、氮化物、鉭、氮化鉭、氮化鈦、鎢鈦以及鎢                 NH4#  
          2.器件表面圖形的刻蝕 <)H9V-5aZ