主要用途
h!9ei6  
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當(dāng)氧化層崩潰、靜電放電破壞、閂鎖效應(yīng)時，產(chǎn)生了過量的電子和空穴結(jié)合并產(chǎn)生躍遷光子，由探測器通過顯微鏡收集這些光子并精確地定位出其位置，通常這個位置就是存在異常的缺陷位置。 J9S>yLQK  
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\z} Ic%Tp  
性能參數(shù) )}O8?d`  
+x}<IS8  
a)InGaAs檢測器，分辨率：320*256 像素； 8*a&Jl  
g< .qUBPKX  
b)偵測波長范圍900nm - 1700nm Q=yg8CQ  
eb$#A _m  
c)像素尺寸：30um x 30um DLNbo2C  
BING
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d)曝光時間 20ms - 400s [z9Z5sLO  
0+b1vhQ  
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x Yc*;/T}  
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f)Back side EMMI #:%/(j  
)dd@\
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%ULr8)R;  
應(yīng)用范圍 9(wK@  
x]ot 2  
　1.P-N接面漏電 ;i:d+!3XwC  
<p"iY}x[H  
　2.飽和區(qū)晶體管的熱電子 9=2$8JN=(l  

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　3.P-N接面崩潰 Uf+%W;}  
NQ2E  
　4.閂鎖效應(yīng) H} g{Cr"Ex  
)w%!{hn  
　5.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā)