主要用途 vyT$IdV2  
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芯片的電路修補、斷面切割、透射電鏡樣品制備。 eHG**@"X  
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4RsV\Y{FN  
性能參數(shù) u79.`,Ad&  
NG@9}O  
a)著陸電壓范圍 - 電子束：350V~30kV r7sPFM  
Dm6WSp1|b  
                - 離子束：500V~30kV N4"%!.Y  
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b)最小分辨率 - 電子束：0.8nm/30kV eFvw9B+  
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              - 離子束：2.5nm/30kV PL<q|y  
R%XbO~{u  
c)全新的差分抽取及TOF校正功能，可實現(xiàn)更高分辨率的離子束成像、磨削和沉積 nK Rx_D$d  
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50  
應(yīng)用范圍 3/o-\wWO  
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1.定點切割 ptGM'  
h,<%cvU=  
2.穿透式電子顯微鏡試片 he&*N*of:  
XbYW,a@w2  
3.IC線路修補和布局驗證 &| el8;D  
d$g-u8  
4.制程上異常觀察分析 %WHue  
yL&F!+(/Ix  
5.晶相特性觀察分析 N5[QQtQ  
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6.故障位置定位用被動電壓反差分析