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FIB的應(yīng)用 s(F^P  
聚焦離子束顯微鏡 (Focused Ion Beam, FIB) .BZw7 YV  
聚焦離子束顯微鏡是運用鎵 (Ga) 金屬來做為離子源。因為鎵的熔點為 29.76°C，且在此時的蒸氣壓為«10-13 Torr，所以很適合在真空下操作。在使用時，液態(tài)的鎵會沿著燈絲流至針尖，當(dāng)外加電場強到可以將針尖的液態(tài)鎵，拉成曲率半徑小于一臨界半徑的圓錐體(Taylor cone) 時，鎵就被游離而噴出，形成鎵離子束。此離子源小于 10 nm，能量分散約為 4.5 eV，亮度約為106 A/cm2.sr。所以可以用來做為很精確的奈米結(jié)構(gòu)加工的工具，所以也可稱之為奈米雕刻刀。聚焦離子束顯微鏡的系統(tǒng)，是由液態(tài)離子源、聚焦與掃描透鏡、樣品移動平臺、反應(yīng)氣體噴嘴及信號偵測器所組成。透過此系統(tǒng)，我們可以做選區(qū)的濺射來去除物質(zhì)、金屬的沉積與蝕刻、及絕緣層的沉積與蝕刻，所以也是微機電 (MEMS) 加工很好的工具平臺。除了單槍離子束之外，聚焦離子束顯微鏡上另外還可裝設(shè)電子束系統(tǒng)，而形成所謂的雙束聚焦離子顯微鏡 (Dual Beam FIB)。也就是同時具備了掃描式電子顯微鏡 (Scanning Electron Microscope, SEM) 及聚焦離子束顯微鏡于一身�？梢杂秒娮邮鴣韺ふ夷繕�(biāo)區(qū)及觀察影像，而離子束做精密切割目標(biāo)區(qū)，不會破壞其他樣品結(jié)構(gòu)，因此可以做奈米級精確的位置定位與切割，及奈米級的TEM試樣薄片制作。 .hnGHX  
FIB設(shè)備的具體應(yīng)用可大致分類為：積體電路的線路編修