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芯片失效分析常用方法 1.OM 顯微鏡觀測(cè)，外觀分析 2.IV曲線量測(cè)儀，電壓電流分析 3. X－Ray 檢測(cè)IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如對(duì)齊不良或橋接，開路、短路或不正常連接的缺陷，封裝中的錫球完整性。（這幾種是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段） |
芯片失效分析常用方法1.OM 顯微鏡觀測(cè)，外觀分析 2.IV曲線量測(cè)儀，電壓電流分析 3. X－Ray 檢測(cè)IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如對(duì)齊不良或橋接，開路、短路或不正常連接的缺陷，封裝中的錫球完整性。（這幾種是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段） |