芯片失效分析常用方法： $Scb8<  
1.OM 顯微鏡觀測，外觀分析 hM")DmvB4  
2.IV曲線量測儀，電壓電流分析 3!M;Z7qF]  
3. X－Ray 檢測IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接，開路、短路或不正常連接的缺陷，封裝中的錫球完整性。（這幾種是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段） $E@L{5Yt  
4.SEM掃描電鏡/EDX能量彌散X光儀（材料結(jié)構(gòu)分析/缺陷觀察，元素組成常規(guī)微區(qū)分析，精確測量元器件尺寸） ,.tv#j|A  
5.取die，開封 使用激光開封機和自動酸開封機將被檢樣品(不適用于陶瓷和金屬封裝)的封裝外殼部分去除，使被檢樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)暴露。 <>`+"O}  
6. EMMI微光顯微鏡 用漏電流路徑分析手段 4:-h\%  
7.切割制樣:使用切割制樣模塊將小樣品進行固定，以方便后續(xù)實驗進行 :1"{0gm  
8.去層:使用等離子刻蝕機(RIE)去除芯片內(nèi)部的鈍化層，使被檢樣品下層金屬暴露，如需去除金屬層觀察下層結(jié)構(gòu)，可利用研磨機進行研磨去層。 ZcgSVMqEX  
9. FIB做一些電路修改，切點觀察 R9Wh/@J]  
10. Probe Station 探針臺/Probing Test 探針測試。