芯片分析分析步驟： Kc?4q=7q  
1.一般先做外觀檢查，看看有沒(méi)有crack，burnt mark 什么的，拍照； eFG(2OVg}M  
2.非破壞性分析：主要是xray--看內(nèi)部結(jié)構(gòu)，超聲波掃描顯微 *9"x0bth  
鏡（C-SAM）--看有沒(méi)delaminaTIon，等等； Cp(2]Eb  
3.電測(cè)：主要工具，IV，萬(wàn)用表，示波器，sony tek370b； Inv`C,$7Q#  
4.破壞性分析：機(jī)械decap，化學(xué) decap 芯片開(kāi)封機(jī)。 jZzTnmm&?  
智能產(chǎn)品檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室于2015年底實(shí)施建設(shè)，共360多平方米。擁有20多套智能產(chǎn)品專用檢測(cè)儀器與工具。目前有專業(yè)檢測(cè)人員10余名，能夠依據(jù)國(guó)際、國(guó)內(nèi)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施檢測(cè)工作，開(kāi)展從底層芯片到實(shí)際產(chǎn)品，從物理到邏輯的全面的檢測(cè)工作，提供芯片預(yù)處理、側(cè)信道攻擊、光攻擊、侵入式攻擊、環(huán)境、電壓毛刺攻擊、電磁注入、放射線注入、物理安全、邏輯安全、功能、兼容性和多點(diǎn)激光注入等安全檢測(cè)服務(wù)，同時(shí)可開(kāi)展模擬重現(xiàn)智能產(chǎn)品失效的現(xiàn)象，找出失效原因的失效分析檢測(cè)服務(wù)，主要包括點(diǎn)針工作站、反應(yīng)離子刻蝕（RIE）、微漏電偵測(cè)系統(tǒng)（EMMI）、X-Ray檢測(cè)，缺陷切割觀察系統(tǒng)(FIB系統(tǒng))等檢測(cè)試驗(yàn)。實(shí)現(xiàn)對(duì)智能產(chǎn)品質(zhì)量的評(píng)估及分析，為智能裝備產(chǎn)品的芯片、嵌入式軟件以及應(yīng)用提供質(zhì)量保證。