基本晶圓處理步驟通常是晶圓先經(jīng)過(guò)適當(dāng)?shù)那逑矗–leaning）之后，送到熱爐管（Furnace）內(nèi)，在含氧的環(huán)境中，以加熱氧化（Oxidation）的方式在晶圓的表面形成一層厚約數(shù)百個(gè)的二氧化硅層，緊接著厚約1000 到2000的氮化硅層將以化學(xué)氣相沈積Chemical Vapor Deposition；CVP）的方式沈積（Deposition）在剛剛長(zhǎng)成的二氧化硅上，然后整個(gè)晶圓將進(jìn)行微影（Lithography）的制程，先在晶圓上上一層光阻（Photoresist），再將光罩上的圖案移轉(zhuǎn)到光阻上面。接著利用蝕刻（Etching）技術(shù)，將部份未  被光阻保護(hù)的氮化硅層加以除去，留下的就是所需要的線路圖部份。接著以磷為離子源（Ion Source），對(duì)整片晶圓進(jìn)行磷原子的植入（Ion Implantation），然后再把光阻劑去除（Photoresist  Scrip）。制程進(jìn)行至此，我們已將構(gòu)成集成電路所需的晶體管及部份的字符線（Word Lines），依光罩所提供的設(shè)計(jì)圖案，依次的在晶圓上建立完成，接著進(jìn)行金屬化制程（Metallization），制作金屬導(dǎo)線，以便將各個(gè)晶體管與組件加以連接，而在每一道步驟加工完后都必須進(jìn)行一些電性、或是物理特性量測(cè)，以檢驗(yàn)加工結(jié)果是否在規(guī)格內(nèi)（Inspection and  Measurement）；如此重復(fù)步驟制作第一層、第二層．．．的電路部份，以在硅晶圓上制造晶體管等其它電子組件；最后所加工完成的產(chǎn)品會(huì)被送到電性測(cè)試區(qū)作電性量測(cè)。 !( xeDX  
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根據(jù)上述制程之需要，F(xiàn)AB廠內(nèi)通�？煞譃樗拇髤^(qū)： {4"!~
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1）黃光 本區(qū)的作用在于利用照相顯微縮小的技術(shù)，定義出每一層次所需要的電路圖，因?yàn)椴捎酶泄鈩┮灼毓�，得在黃色燈光照明區(qū)域內(nèi)工作，所以叫做「黃光區(qū)」。   D