基本晶圓處理步驟通常是晶圓先經(jīng)過(guò)適當(dāng)?shù)那逑矗–leaning）之后，送到熱爐管（Furnace）內(nèi)，在含氧的環(huán)境中，以加熱氧化（Oxidation）的方式在晶圓的表面形成一層厚約數(shù)百個(gè)的二氧化硅層，緊接著厚約1000 到2000的氮化硅層將以化學(xué)氣相沈積Chemical Vapor Deposition；CVP）的方式沈積（Deposition）在剛剛長(zhǎng)成的二氧化硅上，然后整個(gè)晶圓將進(jìn)行微影（Lithography）的制程，先在晶圓上上一層光阻（Photoresist），再將光罩上的圖案移轉(zhuǎn)到光阻上面。接著利用蝕刻（Etching）技術(shù)，將部份未  被光阻保護(hù)的氮化硅層加以除去，留下的就是所需要的線(xiàn)路圖部份。接著以磷為離子源（Ion Source），對(duì)整片晶圓進(jìn)行磷原子的植入（Ion Implantation），然后再把光阻劑去除（Photoresist  Scrip）。制程進(jìn)行至此，我們已將構(gòu)成集成電路所需的晶體管及部份的字符線(xiàn)（Word Lines），依光罩所提供的設(shè)計(jì)圖案，依次的在晶圓上建立完成，接著進(jìn)行金屬化制程（Metallization），制作金屬導(dǎo)線(xiàn)，以便將各個(gè)晶體管與組件加以連接，而在每一道步驟加工完后都必須進(jìn)行一些電性、或是物理特性量測(cè)，以檢驗(yàn)加工結(jié)果是否在規(guī)格內(nèi)（Inspection and  Measurement）；如此重復(fù)步驟制作第一層、第二層．．．的電路部份，以在硅晶圓上制造晶體管等其它電子組件；最后所加工完成的產(chǎn)品會(huì)被送到電性測(cè)試區(qū)作電性量測(cè)。 2I'gT$h  
r7B.@+QK  
根據(jù)上述制程之需要，F(xiàn)AB廠(chǎng)內(nèi)通�？煞譃樗拇髤^(qū)： %siBCjvo=  
1）黃光 本區(qū)的作用在于利用照相顯微縮小的技術(shù)，定義出每一層次所需要的電路圖，因?yàn)椴捎酶泄鈩┮灼毓猓�得在黃色燈光照明區(qū)域內(nèi)工作，所以叫做「黃光區(qū)」。   wW2b?b{*Z  
2）蝕刻 經(jīng)過(guò)黃光定義出我們所需要的電路圖，把不要的部份去除掉，此去除的步驟就>   稱(chēng)之為蝕刻，因?yàn)樗�好像雕刻，一刀一刀的削去不必要不必要的木屑，完成作品，期間又利用酸液來(lái)腐蝕的，所以叫做「蝕刻區(qū)」。   5cahbx1"  
3）擴(kuò)散 本區(qū)的制造過(guò)程都在高溫中進(jìn)行，又稱(chēng)為「高溫區(qū)」，利用高溫給予物質(zhì)能量而產(chǎn)生運(yùn)動(dòng)，因?yàn)楸緟^(qū)的機(jī)臺(tái)大都為一根根的爐管，所以也有人稱(chēng)為「爐管區(qū)」，每一根爐管都有不同的作用。   0 D^d-R,  
4）真空 本區(qū)機(jī)器操作時(shí)，機(jī)器中都需要抽成真空，所以稱(chēng)之為真空區(qū)，真空區(qū)的機(jī)器多用來(lái)作沈積暨離子植入，也就是在Wafer上覆蓋一層薄薄的薄膜，所以又稱(chēng)之為「薄膜區(qū)」。在真空區(qū)中有一站稱(chēng)為晶圓允收區(qū)，可接受芯片的測(cè)試，針對(duì)我們所制造的芯片，其過(guò)程是否有缺陷，電性的流通上是否有問(wèn)題，由工程師根據(jù)其經(jīng)驗(yàn)與電子學(xué)上知識(shí)做一全程的檢測(cè)，由某一電性量測(cè)值的變異判斷某一道相關(guān)制程是否發(fā)生任何異常。此檢測(cè)不同于測(cè)試區(qū)（Wafer  Probe）的檢測(cè)，前者是細(xì)部的電子特性測(cè)試與物理特性測(cè)試，后者所做的測(cè)試是針對(duì)產(chǎn)品的電性功能作檢測(cè)。 oDz%K?29%