=w_Ype`  
一、需求目的：1、熱達標；2、故障少 }{K) 4M  
二、細化需求，怎么評估樣品：1、設計方面；2、測試方面 |C;=-|  
三、具體到芯片設計有哪些需要關注： W+aP}rZm:  
1、頂層設計 G6q }o)[m)  
2、仿真 Zw 26  
3、熱設計及功耗
zH?!  
4、資源利用、速率與工藝 6@h/*WElG  
5、覆蓋率要求 =\&;Fi]  
6、 6"LcJ%o  
四、具體到測試有哪些需要關注： -j#2}[J7  
1、可測試性設計 b(eNmu  
2、常規(guī)測試：晶圓級、芯片級 )0.kv2o.  
3、可靠性測試 ajbA\/\G;  
4、故障與測試關系 5Md=-,'J!  
5、 fIx+ILs  
`quw9j9`C\  
測試有效性保證； >\-hO&%_  
設計保證？測試保證？篩選？可靠性？ |B?m,U$A!  
設計指標？來源工藝水平，模塊水平，覆蓋率 )#0O>F~  
p,5i)nEFj  
晶圓測試：接觸測試、功耗測試、輸入漏電測試、輸出電平測試、全面的功能測試、全面的動態(tài)參數(shù)測試、   模擬信號參數(shù)測試。 59LZv-l  
晶圓的工藝參數(shù)監(jiān)測dice， vjbASFF0=  
,8S/t+H  
''A_[J `>  
芯片測試：ATE測試項目來源，邊界掃描 /kZebNf6H  
(Z+.45{-  
   #`qx<y*S  
故障種類： .9/hHCp  
缺陷種類： rT=rrvV3g  
針對性測試： O W_{$9U  
WrnrF
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性能功能測試的依據，可測試性設計：掃描路徑法scan path、內建自測法BIST-built in self-test FZ{h?#2?  
+xh`Q=A  

I13y6= d  
芯片資源、速率、功耗與特征尺寸的關系； zq3\}9  
仿真與誤差， JK7G/]j+Ez  
n 預研階段 GL>O4S<`  
n 頂層設計階段 WA<v9#m  
n 模塊設計階段 ?(@ 7r_j  
n 模塊實現(xiàn)階段 G*?8MTP8![  
n 子系統(tǒng)仿真階段 mxvp3t