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FIB含義： Sz`,X0a  
聚焦離子束（Focused Ion beam簡寫FIB)是將離子源(大多數(shù)FIB都用Ga，也有設(shè)備具有He和Ne離子源)產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子槍加速,聚焦后作用于樣品表面。作用： ~ .g@hS8>  
1.產(chǎn)生二次電子信號取得電子像.此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似 !f[_+CD  
2.用強電流離子束對表面原子進行剝離,以完成微、納米級表面形貌加工。 9cF[seE"0  
3.通常是以物理濺射的方式搭配化學(xué)氣體反應(yīng)，有選擇性的剝除金屬,氧化硅層或沉積金屬層。 }($5k]]clP  
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FIB應(yīng)用： ED gag  
FIB技術(shù)的在芯片設(shè)計及加工過程中的應(yīng)用介紹： =UQ3HQD  
1.芯片IC電路修改，切線連線。 C<tl/NC  
用FIB對芯片電路進行物理修改可使芯片設(shè)計者對芯片問題處作針對性的測試,以便更快更準確的驗證設(shè)計方案。 若芯片部份區(qū)域有問題,可通過FIB對此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問題的癥結(jié)。 CAhXQ7w'Z  
FIB還能在最終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設(shè)計方案修改次數(shù)，縮短研發(fā)時間和周期。 +O{*M9B  
2.Cross-Section 截面分析 2/^3WY1U  
用FIB在IC芯片特定位置作截面斷層,以便觀測材料的截面結(jié)構(gòu)與材質(zhì),定點分析芯片結(jié)構(gòu)缺陷。 3nQ`]5.Q w  
3.Probing Pad C&%_a~  
在復(fù)雜IC線路中任意位置引出測試點, 以便進一步使用探針臺(Probe- station) 或 E-beam 直接觀測IC內(nèi)部信號。 Ui