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FIB含義： `v``}8tm  
聚焦離子束（Focused Ion beam簡寫FIB)是將離子源(大多數(shù)FIB都用Ga，也有設備具有He和Ne離子源)產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子槍加速,聚焦后作用于樣品表面。作用： Jcze.t  
1.產(chǎn)生二次電子信號取得電子像.此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似 K6p\ >J  
2.用強電流離子束對表面原子進行剝離,以完成微、納米級表面形貌加工。 VPYLDg.'  
3.通常是以物理濺射的方式搭配化學氣體反應，有選擇性的剝除金屬,氧化硅層或沉積金屬層。 1LRP R@b^  
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FIB應用： <m`CLVx8m  
FIB技術的在芯片設計及加工過程中的應用介紹： DX>LB$dy?  
1.芯片IC電路修改，切線連線。 Y^!qeY  
用FIB對芯片電路進行物理修改可使芯片設計者對芯片問題處作針對性的測試,以便更快更準確的驗證設計方案。 若芯片部份區(qū)域有問題,可通過FIB對此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問題的癥結。 PKrG6% W+  
FIB還能在最終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設計方案修改次數(shù)，縮短研發(fā)時間和周期。 K}re{y  
2.Cross-Section 截面分析 .eD&UQ  
用FIB在IC芯片特定位置作截面斷層,以便觀測材料的截面結構與材質,定點分析芯片結構缺陷。 ~&D =;M/  
3.Probing Pad M*gvYo  
在復雜IC線路中任意位置引出測試點, 以便進一步使用探針臺(Probe- station) 或 E-beam 直接觀測IC內部信號。 =