V/762&2X  
'y;[ fwo7  
生產(chǎn)圓片（Wafer）； BhdJ/C^  
H$1R\rE`  
在圓片上制造出大量電路單元； Zroj-3-X~  
L6 h
Tz'  
圓片測(cè)試； e:!&y\'"9  
FS1<f:  
按電路單元切割成基片（Die）； #Q$9Eq8"[  
7M^!t X  
封裝成集成電路成品。 bnUd !/;  
?L{[84GSO  
1.芯片的原料晶圓       晶圓的成分是硅，硅是由石英沙所精練出來(lái)的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英半導(dǎo)體的材料，將其切片就是芯片制作具體需要的晶圓。       晶圓越薄，成產(chǎn)的成本越低，但對(duì)工藝就要求的越高。 %4+r&  
ur*1I/v  
2.晶圓涂膜     晶圓涂膜能抵抗氧化以及耐溫能力，其材料為光阻的一種 \t^q@}~0Wz  
lh8`.sWk4V  
3.晶圓光刻顯影、蝕刻      該過(guò)程使用了對(duì)紫外光敏感的化學(xué)物質(zhì)，即遇紫外光則變軟。通過(guò)控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蝕劑，使得其遇紫外光就會(huì)溶解。這是可以用上第一份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解，這溶解部分接著可用溶劑將其沖走。這樣剩下的部分就與遮光物的形狀一樣了，而這效果正是我們所要的。這樣就得到我們所需要的二氧化硅層。 7c4
\'dt#  
r+v*(Tu  
4、攙加雜質(zhì)      將晶圓中植入離子，生成相應(yīng)的P、N類半導(dǎo)體。      具體工藝是是從硅片上暴露的區(qū)域開(kāi)始，放入化學(xué)離子混合液中。這一工藝將改變攙雜區(qū)的導(dǎo)電方式，使每個(gè)晶體管可以通、斷、或攜帶數(shù)據(jù)。簡(jiǎn)單的芯片可以只用一層，但復(fù)雜的芯片通常有很多層，這時(shí)候?qū)⑦@一流程不斷的重復(fù)，不同層可通過(guò)開(kāi)啟窗口聯(lián)接起來(lái)。這一點(diǎn)類似所層PCB板的制作制作原理。 9:YiLoz?  
kF6X?mqgD  
      更為復(fù)雜的芯片可能需要多個(gè)二氧化硅層，這時(shí)候通過(guò)重復(fù)光刻以及上面流程來(lái)實(shí)現(xiàn)，形成一個(gè)立體的結(jié)構(gòu)。 3x'BMAA+  
[<f\+g2ct  
5、晶圓測(cè)試      經(jīng)過(guò)上面的幾道工藝之后，晶圓上就形成了一個(gè)個(gè)格狀的晶粒。通過(guò)針測(cè)的方式對(duì)每個(gè)晶粒進(jìn)行電氣特性檢測(cè)。 l_+s$c  
GaM#a[p  
     一般每個(gè)芯片的擁有的晶粒數(shù)量是龐大的，組織一次針測(cè)試模式是非常復(fù)雜的過(guò)程，這要求了在生產(chǎn)的時(shí)候盡量是同等芯片規(guī)格構(gòu)造的型號(hào)的大批量的生產(chǎn)。數(shù)量越大相對(duì)成本就會(huì)越低，這也是為什么主流芯片器件造價(jià)低的一個(gè)因素。 (j}"1  
)Q6R6xW  
6、封裝       將制造完成晶圓固定，綁定引腳，按照需求去制作成各種不同的封裝形式，宇洋這就是同種芯片內(nèi)核可以有不同的封裝形式的原因。比如：DIP、QFP、PLCC、QFN 等等。 >8>`-  
yv4hH4Io
 
       這里主要是由用戶的應(yīng)用習(xí)慣、應(yīng)用環(huán)境、市場(chǎng)形式等外圍因素來(lái)決定的。7、測(cè)試、包裝       經(jīng)過(guò)上述工藝流程以后，芯片制作就已經(jīng)全部完成了，這一步驟是將芯片進(jìn)行測(cè)試、剔除不良品，以及包裝。