半導(dǎo)體材料及芯片的歷史 !"F;wg$  
　　第一代：以硅材料為代表的第一代半導(dǎo)體材料目前仍然是最主要的半導(dǎo)體器件材料。但是硅材料帶隙(禁帶)較窄和擊穿電場較低等物理屬性的特點(diǎn)限制了其在光電子領(lǐng)域和高頻高功率器件方面的應(yīng)用。 o^@"eG
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　　第二代：20世紀(jì)90年代以來，隨著無線通信的飛速發(fā)展和以光纖通信為基礎(chǔ)的信息高速公路與互聯(lián)網(wǎng)的興起，以砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)為代表的第二代半導(dǎo)體材料開始嶄露頭角。目前GaAs幾乎壟斷了手機(jī)制造中的功放器件市場。 KrpIH6  
　　第三代：第三代半導(dǎo)體材料的興起以GaN(氮化鎵)材料P型摻雜的突破為起點(diǎn)，以高亮度藍(lán)光發(fā)光二極管(LED)和藍(lán)光激光器研制成功為標(biāo)志的。 3^UdB9j;