1.晶片的正確使用： 4*m\Zoq>  
   固好晶片的材料原則上要求室內(nèi)濕度在40以下。 : <m0 GG  
   晶片擴(kuò)張溫度設(shè)定：自動(dòng)片藍(lán)膜：40℃±10℃； Ig5J_Z
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   手動(dòng)片白膜：40℃±10℃ mL3'/3-7:V  
   擴(kuò)張?jiān)介_，背膠膠量好管控，不易造成銀膠過高IR，間隔以1.86 mm為     佳。銀膠量為晶片高度的2/5最佳，(1/4~1/2晶片高度)。 n6ud;jN|  
2. Bonding 焊接位置及壓力對晶片電性均會(huì)有影響。 ab3" ?.3m  
    B/D壓力重易打損晶片造成晶片內(nèi)崩，另接電面積小，第一焊點(diǎn)位置打 偏也會(huì)影響IR。故要求每換不同型號的晶片，焊線均需調(diào)整距離（鋼嘴到第一焊點(diǎn)的距離）及壓力。 %&e5i  
3.檢測條件：電流設(shè)定：20mA； Z@~8iAgE  
電壓（VFV）設(shè)定根據(jù)不同晶片規(guī)格設(shè)定： iM}cd$r{  
E：2.0；  G：2.1；  Y：2.1；  H：2.1； 80:na7$)#  
SR/SRD/LR/UR：1.8；LY/UY：2.1。 QE-t v00  
影響晶片特性的主要因素： <lv:mqV  
晶片自身不良： I9tdr<  
晶片切割不良，晶片PAD（接墊）不平整，晶片鋁墊鍍層不良（有凹洞）。 a)`h*P5@  
晶片材質(zhì)不良： I#$u(2.H  
影響晶片VF值的主要因素在于晶片背金（晶片背面的金屬附著是否夠，檢測方式可用TAPE貼粘晶片的背面，看底部的金屬附著是否會(huì)脫落）。（背面金屬附著）背金分布有全金、點(diǎn)金，分布不同其電流不同以至影響其VF。 NIV&)`w  
分析晶片首先將外形尺寸及鋁墊大小進(jìn)行測量，因不同大小的晶片制程工藝不同，然后分析所有材料（不同的方面：正面、側(cè)面、上層、中層、下層所用材料均不同）。 M|Z]B<_x  
一般晶片除了底部不發(fā)光，其它五個(gè)側(cè)面都能發(fā)光，主要靠表面發(fā)光，晶片PAD（接電）的大�。�及第一焊點(diǎn)線球的大�。�會(huì)影響晶片的發(fā)光。 >I!dJH/gj  
晶片PAD（接電）有加天線可以增進(jìn)電流分布。 7J0PO}N