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CP、FT、WAT =IUUeFv +r  
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CP是把壞的Die挑出來(lái)，可以減少封裝和測(cè)試的成本。可以更直接的知道Wafer 的良率。FT是把壞的chip挑出來(lái)；檢驗(yàn)封裝的良率。 cKn`/\.H  
現(xiàn)在對(duì)于一般的wafer工藝，很多公司多把CP給省了；減少成本。 xY$iz)^0&  
CP對(duì)整片Wafer的每個(gè)Die來(lái)測(cè)試 mWyqG*-Hb  
而FT則對(duì)封裝好的Chip來(lái)測(cè)試。 lRveHB&V  
CP  Pass 才會(huì)去封裝。然后FT，確保封裝后也Pass。 ONCnVjZ  
WAT是Wafer Acceptance Test，對(duì)專門的測(cè)試圖形（test key）的測(cè)試，通過(guò)電參數(shù)來(lái)監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定； P9S2?Q  
CP是wafer level的chip probing，是整個(gè)wafer工藝，包括backgrinding和backmetal（if need），對(duì)一些基本器件參數(shù)的測(cè)試，如vt（閾值電壓），Rdson（導(dǎo)通電阻），BVdss（源漏擊穿電壓），Igss（柵源漏電流），Idss（漏源漏電流）等，一般測(cè)試機(jī)臺(tái)的電壓和功率不會(huì)很高； .58qL-iC  
FT是packaged chip level的Final Test，主要是對(duì)于這個(gè)（CP passed）IC或Device芯片應(yīng)用方面的測(cè)試，有些甚至是待機(jī)測(cè)試； *bxzCI7b  
Pass FP還不夠，還需要做process qual 和product qual ZvUC
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CP 測(cè)試對(duì)Memory來(lái)說(shuō)還有一個(gè)非常重要的作用，那就是通過(guò)MRA計(jì)算出chip level 的Repair address，通過(guò)Laser Repair將CP測(cè)試中的Repairable die 修補(bǔ)回來(lái)，這樣保證了yield和reliability兩方面的提升。 IXb}AxBf  
CP是對(duì)wafer進(jìn)行測(cè)試，檢查fab廠制造的工藝水平 )x]3Zq  
FT是對(duì)package進(jìn)行測(cè)試，檢查封裝廠制造的工藝水平 8Th` ]tI  
對(duì)于測(cè)試項(xiàng)來(lái)說(shuō)，有些測(cè)試項(xiàng)在CP時(shí)會(huì)進(jìn)行測(cè)試，在FT時(shí)就不用再次進(jìn)行測(cè)試了，節(jié)省了FT測(cè)試時(shí)間；但是有些測(cè)試項(xiàng)必須在FT時(shí)才進(jìn)行測(cè)試（不同的設(shè)計(jì)公司會(huì)有不同的要求） !H2QjW  
一般來(lái)說(shuō)，CP測(cè)試的項(xiàng)目比較多，比較全；FT測(cè)的項(xiàng)目比較少，但都是關(guān)鍵項(xiàng)目，條件嚴(yán)格。但也有很多公司只做FT不做CP（如果FT和封裝yield高的話，CP就失去意義了）。 [xT:]Pw}  
在測(cè)試方面，CP比較難的是探針卡的制作，并行測(cè)試的干擾問(wèn)題。FT相對(duì)來(lái)說(shuō)簡(jiǎn)單一點(diǎn)。還有一點(diǎn)，memory測(cè)試的CP會(huì)更難，因?yàn)橐��?/font>redundancy analysis，寫程序很麻煩。 h(F<h_  
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CP在整個(gè)制程中算是半成品測(cè)試，目的有2個(gè)，1個(gè)是監(jiān)控前道工藝良率，另一個(gè)是降低后道成本（避免封裝過(guò)多的壞芯片），其能夠測(cè)試的項(xiàng)比FT要少些。最簡(jiǎn)單的一個(gè)例子，碰到大電流測(cè)試項(xiàng)CP肯定是不測(cè)的（探針容許的電流有限），這項(xiàng)只能在封裝后的FT測(cè)。不過(guò)許多項(xiàng)CP測(cè)試后FT的時(shí)候就可以免掉不測(cè)了（可以提高效率），所以有時(shí)會(huì)覺得FT的測(cè)試項(xiàng)比CP少很多。 lt_']QqU  
應(yīng)該說(shuō)WAT的測(cè)試項(xiàng)和CP/FT是不同的。CP不是制造（FAB）測(cè)的！ TuW/N L|  
而CP的項(xiàng)目是從屬于FT的（也就是說(shuō)CP測(cè)的只會(huì)比FT少），項(xiàng)目完全一樣的；不同的是卡的SPEC而已；因?yàn)榉庋b都會(huì)導(dǎo)致參數(shù)漂移，所以CP測(cè)試SPEC收的要比FT更緊以確保最終成品FT良率。還有相當(dāng)多的DH把wafer做成幾個(gè)系列通用的die，在CP是通過(guò)trimming來(lái)定向確定做成其系列中的某一款，這是解決相似電路節(jié)省光刻版的較佳方案；所以除非你公司的wafer封裝成device是唯（）一的，且WAT良率在99%左右，才會(huì)盲封的。 UThB7(O,  
據(jù)我所知盲封的DH很少很少，風(fēng)險(xiǎn)實(shí)在太大，不容易受控。 JKX_q&bUw  
WAT：wafer level 的管芯或結(jié)構(gòu)測(cè)試 e#B#B  
CP：wafer level 的電路測(cè)試含功能 ]q6;#EUr?  
FT：device level 的電路測(cè)試含功能 HFq