日媒稱，碳納 米管研究意在代替硅制半導(dǎo)體，該領(lǐng)域主要由中美的大學(xué)和新創(chuàng)企業(yè)拉動(dòng)研究，而碳納 米管的發(fā)現(xiàn)國(guó)日本的存在感卻正在下降。據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》11月28日?qǐng)?bào)道，直徑為1納米左右的碳納 米管被發(fā)現(xiàn)具備重量輕且強(qiáng)韌的特色，在導(dǎo)電性等方面也具備有趣的性能，1991年，由日本名城大學(xué)終身教授飯島澄男在任職于日本電氣公司（NEC）時(shí)發(fā)現(xiàn)。 6v2RS  
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它與呈球狀的“富勒烯”和呈片狀的“石墨烯”一起，成為2000年前后熱門的納米技術(shù)領(lǐng)域的代表性材料。 $7gB&T.x  
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據(jù)了解，在納米技術(shù)研究領(lǐng)域，碳納米管是一種很獨(dú)特的材料，直徑只有人類頭發(fā)的5萬分之一，能導(dǎo)熱導(dǎo)電，硬度是鋼鐵的50倍。在儲(chǔ)存領(lǐng)域，因?yàn)槠涮匦詾榉菗]發(fā)性，碳納米管用來當(dāng)做儲(chǔ)存芯片使用，即便斷電也不會(huì)清除儲(chǔ)存在上面的信息。除了讀寫速度是普通閃存的1000倍之外，同時(shí)可提供功耗更低，更具可靠性與耐用性的存儲(chǔ)器，而且生產(chǎn)成本更低。 bHQKRV  
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報(bào)道介紹，根據(jù)碳原子連接方式的不同，碳納米管分為容易導(dǎo)電的金屬型，以及與硅具有相同性質(zhì)的半導(dǎo)體型兩種。將其用作電子元件的研究一度較為活躍，但因無法順利分離金屬型和半導(dǎo)體型，一直沒有取得明顯進(jìn)展。 l;{N/cS  
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2016年，富士通的半導(dǎo)體子公司“富士通半導(dǎo)體”與總部位于美國(guó)的Nantero公司達(dá)成協(xié)議，雙方致力于碳納米管存儲(chǔ)器的開發(fā)與生產(chǎn)。 vrm{Ql&  
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據(jù)報(bào)道，美國(guó)的Nantero擁有精密制造碳納米管的自主技術(shù)，該公司計(jì)劃在2020年之前造出容量為2MB-16MB級(jí)別的試制品。這種產(chǎn)品與目前主流的閃存形成競(jìng)爭(zhēng)，據(jù)悉其耗電量不到四分之一，能用于各種信息終端設(shè)備。 M\?uDC9  
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富士通半導(dǎo)體的統(tǒng)括部長(zhǎng)代理齋藤仁期待稱，“將成為符合所有產(chǎn)品都接入互聯(lián)網(wǎng)的物聯(lián)網(wǎng)（IoT）時(shí)代的存儲(chǔ)元件”。 \l=KWa