EMMI（微光顯微鏡） #6t 4 vJ1  

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圖片:f3fc270a899d604f0aaeb6678cb811c.png

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對于失效分析而言，微光顯微鏡是一種相當(dāng)有用，且效率極高的分析工具，主要偵測IC內(nèi)部所放出光子。在IC原件中，EHP Recombination會(huì)放出光子，例如：在PN Junction加偏壓，此時(shí)N的電子很容易擴(kuò)散到P， 而P的空穴也容易擴(kuò)散至N，然后與P端的空穴做EHP Recombination。 _n6ge*,E  
偵測到亮點(diǎn)之情況 8*nv+  
會(huì)產(chǎn)生亮點(diǎn)的缺陷：1.漏電結(jié)；2.解除毛刺；3.熱電子效應(yīng)；4閂鎖效應(yīng)； 5氧化層漏電；6多晶硅須；7襯底損失；8.物理損傷等。 f`ro{p  
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偵測不到亮點(diǎn)之情況  
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不會(huì)出現(xiàn)亮點(diǎn)之故障：1.亮點(diǎn)位置被擋到或遮蔽的情形（埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置）；2.歐姆接觸；3.金屬互聯(lián)短路；4.表面反型層；5.硅導(dǎo)電通路等。 [NG~FwpRf  
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點(diǎn)被遮蔽之情況：埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置，這種情況可采用Backside模式，但是只能探測近紅外波段的發(fā)光，且需要減薄及拋光處理。 W<f-