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日本研發(fā)6G超高速芯片 采用InP化合物

發(fā)布:cyqdesign 2020-01-01 11:38 閱讀:1508
近日,日本NTT集團(tuán)旗下的設(shè)備技術(shù)實驗室成功研發(fā)出一款6G超高速芯片,采用磷化錮(InP)化合物,并在300GHz超高頻段進(jìn)行了無線傳輸實驗,使用16QAM調(diào)制時,獲得了100Gbps的超高速度,相當(dāng)于10萬兆有線網(wǎng)絡(luò)。 N!ls j \-  
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據(jù)悉,這一高速只使用了一個載波,如果再輔以多載波聚合,以及MIMO、OAM等空間復(fù)用技術(shù),或者未來研發(fā)出新的相關(guān)技術(shù),組合之下速度更是不可限量,預(yù)計至少能達(dá)到400Gpbs,也就是如今5G速度的至少40倍。
關(guān)鍵詞: 芯片
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