日本研發(fā)6G超高速芯片 采用InP化合物
近日,日本NTT集團(tuán)旗下的設(shè)備技術(shù)實(shí)驗(yàn)室成功研發(fā)出一款6G超高速芯片,采用磷化錮(InP)化合物,并在300GHz超高頻段進(jìn)行了無(wú)線傳輸實(shí)驗(yàn),使用16QAM調(diào)制時(shí),獲得了100Gbps的超高速度,相當(dāng)于10萬(wàn)兆有線網(wǎng)絡(luò)。
據(jù)悉,這一高速只使用了一個(gè)載波,如果再輔以多載波聚合,以及MIMO、OAM等空間復(fù)用技術(shù),或者未來(lái)研發(fā)出新的相關(guān)技術(shù),組合之下速度更是不可限量,預(yù)計(jì)至少能達(dá)到400Gpbs,也就是如今5G速度的至少40倍。 關(guān)鍵詞: 芯片
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