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半導(dǎo)體術(shù)語解釋 （五） 空氣中約4/5是氮氣，氮氣是一安定的惰性氣體，由于取得不難且安定，故Fab內(nèi)常用以當(dāng)作Purge管路，除去臟污、保護氣氛、傳送氣體(Carrier Gas)、及稀釋(Dilute)用途，另外氮氣在零下 196℃(77°F)以下即以液態(tài)存在，故常被用做真空冷卻源。 142) N Well N井 在半導(dǎo)體行業(yè)里，一般在P-Sub上植入P以形成N-well,以便為后期形成PMOS. 143) Nanospec 一種用于量測膜厚的測量儀器。 144) P/ N-Type Semiconductor P/N型半導(dǎo)體 一般金屬由于阻值相當(dāng)?shù)?/font>(10-2Ω-cm以下)，因此稱之為良導(dǎo)體，而氧化物等阻值高至105Ω-cm以上，稱之非導(dǎo)體或絕緣體。若阻值在10-2~10-5Ω-cm之間，則名為半導(dǎo)體。 IC工業(yè)使用的硅芯片，阻值就是在半導(dǎo)體的范圍，但由于Si(硅)是四價鍵結(jié)(共價鍵)的結(jié)構(gòu)，若摻雜有如砷(As)，磷(P)等五價元素，且占據(jù)硅原子的地位(Substitutional Sites)，則多出一個電子，可用來導(dǎo)電，使導(dǎo)電性增加，稱之為N型半導(dǎo)體。若摻雜硼(B)等三價元素，且仍占據(jù)硅原子的地位，則鍵結(jié)少了一個電子，因此其它電子在足夠的熱激發(fā)下，可以過來填補，如此連續(xù)的電子填補，稱之為定電洞傳導(dǎo)，亦使硅的導(dǎo)電性增加，稱為P型半導(dǎo)體。 因此N型半導(dǎo)體中，其主要常電粒子為帶負(fù)電的電子，而在P型半導(dǎo)體中，則為常正電的電洞。在平衡狀況下(室溫)不管N型或P型半導(dǎo)體，其電子均與電洞濃度的乘積值不變。故一方濃度增加，另一方即相對減少。 145) Native Oxide 原始氧化層 當(dāng)我們把硅芯片暴露在含氧的環(huán)境里時，例如氧氣或水，芯片表面的硅原子便會進行如下（一）（二）所示的氧化反應(yīng)，然后在芯片的表面長出一層二氧化硅層。因為（二）式所示的氧化反應(yīng)涉及到水分子，雖然進行反應(yīng)的水分子不見得是以液態(tài)的形式存在，但我們習(xí)慣以干式氧化（Dry Oxidation）來稱呼（一）式的反應(yīng)，而以濕式氧化（Wet Oxidation）來表示（二）式。因為這兩個反應(yīng)在室溫下便得以進行，所以硅芯片的表面通常都會由一層厚度約在數(shù)個Å到20Å不等的SiO2所覆蓋。這層因為空氣里的氧以及水分子所自然形成的SiO2,則稱為“原始氧化層（Native Oxidation）”。 Si(s) + O2(g) = SiO2(s) (一) Si(s) + 2H2O(g) = SiO2(s) + 2H2(g)） (二) 146) Needle Valve 針閥 針狀閥裝在圓錐形閥座上的有細(xì)桿的閥，用于準(zhǔn)確地調(diào)整液體或氣體的流動。 147) Nitric Acid 硝酸 一種腐蝕性液態(tài)無機酸HNO3,通常由氨的催化氧化或硫酸與硝酸鹽反應(yīng)制得,主要用作氧化劑(如火箭推進劑),并用于硝化作用以及肥料、炸藥、染料、硝基烷和各種其它有機化合物的制造中。 硝酸是透明，無色或微黃色，發(fā)煙，易吸濕的腐蝕性液體，能腐蝕大部份金屬。其黃色是由于曝光所產(chǎn)生的二氧化氮，為強氧化劑，可與水混合，沸點78℃，比重1.504。對皮膚有腐蝕性，為強氧化劑，與有機物接觸有起火危險。清洗爐管用。 148) NSG Nondoped Silicate Glass無滲入雜質(zhì)硅酸鹽玻璃 |
