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半導(dǎo)體術(shù)語解釋 （八） （最大值－最小值）/（2*平均值），有兩種均勻性：一種是一片Wafer的均勻性（within wafer），測得五個(gè)點(diǎn)，然后得到最大值最小值和平均值，再安公式計(jì)算。另一種是Wafe之間的均勻性(wafer to wafer)，同樣測得最大值和最小值和平均值再計(jì)算均勻性。 245) USG (Undoped SiO2) 即沒有攙雜的二氧化硅，LPCVD制得，一般沉積在BPSG下面，以防止BPSG中的P元素滲透到Si表面，影響組件的特性。 246) Up Time 使用率 表示機(jī)臺可以run貨的時(shí)間，包含run貨的時(shí)間及機(jī)臺lost時(shí)間，即除down機(jī)時(shí)間 247) Vacuum真空 真空系針對大氣而言，一特定空間內(nèi)的部份氣體被排出，其壓力小于1大氣壓。 表示真空的單位相當(dāng)多，在大氣的情況下，通稱為l大氣壓，也可表示為760torr或760mmHg或14.7psi。 真空技術(shù)中，將真空依壓力大小分為4個(gè)區(qū)域： 1.粗略真空(Rough Vacuum) : 760~1 torr 2.中度真空(Medium Vacuum): 1~10-3 torr 3.高真空 (High Vacuum) : l0-3~10-7torr 4.超高真空(Ultra-High Vacuum): 10-7torr以下 在不同真空，氣體流動(dòng)的型式與熱導(dǎo)性等均有所差異，簡略而言，在粗略真空，氣體的流動(dòng)稱為黏滯流(Viscous Flow)。其氣體分子間碰撞頻繁，且運(yùn)動(dòng)具有方向性;在高真空或超高真空范圍，氣體流動(dòng)稱為分子流(Molecular Flow)，其氣體分子間碰撞較少，且少于氣體與管壁碰撞的次數(shù)，氣體分子運(yùn)動(dòng)為隨意方向，不受抽氣方向影響。在熱導(dǎo)性方面，中度真空的壓力范圍其與壓力成正比關(guān)系﹒粗略真空與高真空區(qū)域，則無此關(guān)系。 248) Vacuum Pump真空泵 凡能將特定空間內(nèi)的氣體去除，以減低氣體分子數(shù)目，造成某種程度的真空狀態(tài)的機(jī)件，統(tǒng)稱為真空邦浦。 目前生產(chǎn)機(jī)臺所使用的真空泵，可分為抽氣式的有：旋片泵(ROTARY PUMP)，洛茲泵(ROOTS PUMP)，活塞泵(PISTON PUMP)，擴(kuò)散泵(DIFFUSION PUMP)。及儲(chǔ)氣式的有：冷凍泵(CRYO PUMP)，離子泵 (ION PUMP)。 249) Viscosity黏度 "黏度"一詞專用于液體，意指當(dāng)液體接受切應(yīng)力時(shí)(指作用力方向與液體表面不垂直)，液體就會(huì)產(chǎn)生形變，所以便定義"黏度"來表示示體產(chǎn)生形變程度的大小。 黏度是可以調(diào)整的，因?yàn)橐后w受切應(yīng)力而形變是巨觀形為的表現(xiàn)，所以在液體完全相溶前提下，可以加入不同黏度的溶劑來調(diào)整黏度。 250) Vacuum System 真空系統(tǒng) 壓力小于1標(biāo)準(zhǔn)大氣壓的系統(tǒng)。真空系統(tǒng)由以下部分組成：Pump、Valve、Pipe、Gauge、Chamber 251) Valve 閥 控制氣流開關(guān)和氣體流量的組件。Valve主要有以下種類：氣動(dòng)閥（常開或常閉）、手動(dòng) 閥、電磁閥 252) Vapor Phase 氣相 相是一種單一均勻的成分的狀態(tài)。氣相是一種單一均勻的成分的氣體狀態(tài) 253) Vapor Phase Deposition 氣相沉積 一種薄膜沉積的方法，在氣態(tài)下氣體反應(yīng)產(chǎn)物或蒸發(fā)物淀積在基體表面的薄膜技術(shù)。氣相沉積可分為物理氣相沉積和化學(xué)氣相沉積。物理氣相沉積又分為蒸鍍和濺渡�；瘜W(xué)氣相沉積又分為APCVD、LPCVD和PECVD。 254) Very Large Scale Integration 超大規(guī)模集成電路 255) Via 金屬與金屬之間的通道   256) VLF Vertical Laminar Flow垂直層流 |
