芯片失效分析測試前期準(zhǔn)備工作匯總失效分析樣品準(zhǔn)備: 失效分析 趙工 半導(dǎo)體元器件失效分析可靠性測試 1月6日 失效分析樣品準(zhǔn)備: 失效分析是芯片測試重要環(huán)節(jié),無論對于量產(chǎn)樣品還是設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)亦或是客退品,失效分析可以幫助降低成本,縮短周期。 常見的失效分析方法有Decap,X-RAY,IV,EMMI,F(xiàn)IB,SEM,EDX,Probe,OM,RIE等,因?yàn)槭Х治鲈O(shè)備昂貴,大部分需求單位配不了或配不齊需要的設(shè)備,因此借用外力,使用對外開放的資源,來完成自己的分析也是一種很好的選擇。我們選擇去外面測試時(shí)需要準(zhǔn)備的信息有哪些呢?下面為大家整理一下: 一、decap:寫清樣品尺寸,數(shù)量,封裝形式,材質(zhì),開封要求(若在pcb板上,最好提前拆下,pcb板子面較大有突起,會影響對芯片的保護(hù))后續(xù)試驗(yàn)。 1.IC開封(正面/背面) QFP, QFN, SOT,TO, DIP,BGA,COB等 2.樣品減薄(陶瓷,金屬除外) 3.激光打標(biāo) 4.芯片開封(正面/背面) 5.IC蝕刻,塑封體去除 二、X-RAY:寫清樣品尺寸,數(shù)量,材質(zhì)(密度大的可以看到,密度小的直接穿透),重點(diǎn)觀察區(qū)域,精度。 1.觀測DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封裝的半導(dǎo)體、電阻、電容等電子元器件以及小型PCB印刷電路板 2.觀測器件內(nèi)部芯片大小、數(shù)量、疊die、綁線情況 3.觀測芯片crack、點(diǎn)膠不均、斷線、搭線、內(nèi)部氣泡等封裝 缺陷,以及焊錫球冷焊、虛焊等焊接缺陷 三、IV:寫清管腳數(shù)量,封裝形式,加電方式,電壓電流限制范圍。實(shí)驗(yàn)人員需要提前確認(rèn)搭建適合的分析環(huán)境,若樣品不適合就不用白跑一趟了。 1.Open/Short Test 2.I/V Curve Analysis 3.Idd Measuring 4.Powered Leakage(漏電)Test 四、EMMI:寫清樣品加電方式,電壓電流,是否是裸die,是否已經(jīng)開封,特殊要求等,EMMI是加電測試,可以連接各種源表,確認(rèn)加電要求,若實(shí)驗(yàn)室沒有適合的源表,可以自帶,避免做無用功。 |