漏電檢測(cè)微光顯微鏡
對(duì)于失效分析而言,微光顯微鏡是一種相當(dāng)有用,且效率極高的分析工具,主要偵測(cè)IC內(nèi)部所放出光子。在IC原件中,EHP Recombination會(huì)放出光子,例如:在PN Junction加偏壓,此時(shí)N的電子很容易擴(kuò)散到P, 而P的空穴也容易擴(kuò)散至N,然后與P端的空穴做EHP Recombination。
偵測(cè)到亮點(diǎn)之情況 會(huì)產(chǎn)生亮點(diǎn)的缺陷:1.漏電結(jié);2.解除毛刺;3.熱電子效應(yīng);4閂鎖效應(yīng); 5氧化層漏電;6多晶硅須;7襯底損失;8.物理?yè)p傷等。 偵測(cè)不到亮點(diǎn)之情況 不會(huì)出現(xiàn)亮點(diǎn)之故障:1.亮點(diǎn)位置被擋到或遮蔽的情形(埋入式的接面及 大面積金屬線底下的漏電位置);2.歐姆接觸;3.金屬互聯(lián)短路;4.表面 反型層;5.硅導(dǎo)電通路等。 點(diǎn)被遮蔽之情況:埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置,這種情 況可采用Backside模式,但是只能探測(cè)近紅外波段的發(fā)光,且需要減薄及 拋光處理。 測(cè)試范圍: 故障點(diǎn)定位、尋找近紅外波段發(fā)光點(diǎn) 測(cè)試內(nèi)容: 1.P-N接面漏電;P-N接面崩潰 2.飽和區(qū)晶體管的熱電子 3.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā) 4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等問題 北京軟件產(chǎn)品質(zhì)量檢測(cè)檢驗(yàn)中心(簡(jiǎn)稱:北軟檢測(cè))成立于2002 年7月,是經(jīng)北京市編辦批準(zhǔn),由北京市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)和北京市質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局聯(lián)合成立的事業(yè)單位。2004年1月,國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局批準(zhǔn)在北軟檢測(cè)基礎(chǔ)上籌建國(guó)家應(yīng)用軟件產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心(簡(jiǎn)稱:國(guó)軟檢測(cè)),2004年10月國(guó)軟檢測(cè)通過驗(yàn)收并正式獲得授權(quán),成為我國(guó)第一個(gè)國(guó)家級(jí)的軟件產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)機(jī)構(gòu)。 中心依據(jù)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn) ISO/IEC 17025:2005《檢測(cè)和校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室能力認(rèn)可準(zhǔn)則》和ISO 9001:2015《質(zhì)量管理體系要求》建立了嚴(yán)謹(jǐn)?shù)馁|(zhì)量體系,擁有一流的軟件測(cè)試平臺(tái),2600平方米的測(cè)試場(chǎng)地,1000多臺(tái)套的測(cè)試設(shè)備和上百人的專業(yè)測(cè)試工程師隊(duì)伍。目前具有資質(zhì)認(rèn)定計(jì)量認(rèn)證(CMA)、資質(zhì)認(rèn)定授權(quán)證書(CAL)、實(shí)驗(yàn)室認(rèn)可證書(CNAS)、檢驗(yàn)機(jī)構(gòu)認(rèn)可證書(CNAS)、信息安全風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估服務(wù)資質(zhì)認(rèn)證證書(CCRC),信息安全等級(jí)保護(hù)測(cè)評(píng)機(jī)構(gòu)(DJCP)、ISO 9001:2015質(zhì)量管理體系認(rèn)證、ISO/IEC 27001:2013信息安全管理體系認(rèn)證等各種資質(zhì)。 |