電荷耦合器件（CCD）與電荷存儲(chǔ)器件（Memory）作為現(xiàn)代電子系統(tǒng)中兩個(gè)獨(dú)立分支分別沿著各自的路徑發(fā)展，同時(shí)具備光電傳感和存儲(chǔ)功能的原型器件尚未見(jiàn)報(bào)道。近日，中國(guó)科學(xué)院金屬研究所沈陽(yáng)材料科學(xué)國(guó)家研究中心科研人員與國(guó)內(nèi)多家單位合作，在《先進(jìn)材料》（Advanced Materials）在線發(fā)表題為《柔性碳納米管傳感-存儲(chǔ)器件》（A flexible carbon nanotube sen-memory device）的研究論文。 hEhvA6f,  
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　　科研人員提出了一種基于鋁納米晶浮柵的碳納米管非易失性存儲(chǔ)器，具有高的電流開(kāi)關(guān)比、長(zhǎng)達(dá)10年的存儲(chǔ)時(shí)間以及穩(wěn)定的讀寫(xiě)操作，多個(gè)分立的鋁納米晶浮柵器件具有穩(wěn)定的柔性使役性能。更重要的是，電荷在氧化生成的AlOx層中的隧穿機(jī)制由福勒-諾德海姆隧穿變成直接隧穿，從而實(shí)現(xiàn)光電信號(hào)的傳感與檢測(cè)；基于理論計(jì)算分析與實(shí)驗(yàn)優(yōu)化設(shè)計(jì)，制備出32×32像素的非易失性柔性紫外光面陣器件，首次實(shí)現(xiàn)了光學(xué)圖像的傳感與圖像存儲(chǔ)，為新型柔性光檢測(cè)與存儲(chǔ)器件的研制奠定了基礎(chǔ)。 r7FFZNs!  
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　　科研人員采用半導(dǎo)體性碳納米管薄膜為溝道材料，利用均勻離散分布的鋁納米晶/氧化鋁一體化結(jié)構(gòu)作為浮柵層與隧穿層，獲得高性能柔性碳納米管浮柵存儲(chǔ)器（圖1），實(shí)現(xiàn)在0.4%彎曲應(yīng)變下器件讀寫(xiě)與擦除之間的電流開(kāi)關(guān)比高于105，存儲(chǔ)穩(wěn)定性超過(guò)108s（圖2）。同時(shí)，較薄氧化鋁隧穿層可使在擦除態(tài)“囚禁”于鋁納米晶浮柵中的載流子在獲得高于鋁功函數(shù)的光照能量時(shí)，通過(guò)直接隧穿方式重新返回溝道之中，使閉態(tài)電流獲得明顯的提升，完成光電信號(hào)的直接轉(zhuǎn)換與傳輸，實(shí)現(xiàn)集圖像傳感與信息存儲(chǔ)于一身的新型多功能光電傳感與存儲(chǔ)系統(tǒng)（圖3）。 nq%GLUH   
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