51) Densify密化

CVD沈積后由于所沈積的薄膜(Thin Film)的密度很低，故以高溫步驟使薄膜中的分子重新結合以提高其密度，此種高溫步驟即稱為密化。密化通常以爐管在800℃以上的溫度完成，但也可在RTP(Rapid Thermal Process) (快速升降溫機臺)完成。

52) 空乏型Depletion MOS：

操作性質(zhì)與增強型MOS相反，它的通道不須要任何閘極的加壓（Vg）便已存在，而必須在適當?shù)腣g下才消失。

53) Deposition Rate 沉積速率

表示薄膜成長快慢的參數(shù)。一般單位Å/min

54)   Depth of Well 井深

  顧名思義即阱的深度。通過離子植入法植入雜質(zhì)如磷離子或硼離子，然后通過Drive in將離子往下推所達到的深度。

55)   Design Rule設計規(guī)范

由于半導體制程技術，系一門專業(yè)、精致又復雜的技術，容易受到不同制造設備制程方法( RECIPE )的影響，故在考慮各項產(chǎn)品如何從事制造技術完善、成功地制造出來時，須有一套規(guī)范來做有關技術上的規(guī)定，此即"Design Rule"，其系依照各種不同產(chǎn)品的需求、規(guī)格，制造設備及制程方法、制程能力，各項相關電性參數(shù)規(guī)格等考慮，訂正了如：

Ø 各制程層次、線路之間距離、線寬等的規(guī)格。

Ø 各制程層次厚度、深度等的規(guī)格。

Ø 各項電性參數(shù)等的規(guī)格。  

等規(guī)格，以供產(chǎn)品設計者及制程技術工程師等人遵循、參考

56) DHF

Dilute HF，一般用來去除native oxide，稀釋的HF( Dilute HF) HF：H2O=1:50

57)   Die 晶粒

一片芯片(OR晶圓，即Wafer)上有許多相同的方形小單位，這些小單位即稱為晶粒。

    同一芯片上的每個晶粒都是相同的構造，具有相同的功能，每個晶粒經(jīng)包裝后，可制成一顆顆我們?nèi)粘Ｉ�活中常見的IC，故每一芯片所能制造出的IC數(shù)量是很可觀的。同樣地，如果因制造的疏忽而產(chǎn)生的缺點，往住就會波及成百成千個產(chǎn)品。

58) Dielectric 介電材料

介于導電材料之間的絕緣材料。我們常用的介電材料有SiO2,Si3N4，我們需要的介電材料要求：1.良好的stepcoverage ，2.低介電常數(shù)， 3.高崩潰電壓，4.低應力，5.平坦性好。

介電材料的性質(zhì)

Ø 良好的Step coverage、低介電常數(shù)、平坦性。

Ø 理想保護層的性質(zhì)

Ø 沉積均勻、抗裂能力、低針孔密度、能抵抗水氣及堿金屬離子的穿透，硬度佳。

Ø 主要介電材質(zhì):SiO2  PSG 與 BPSG  Si3N4  

59) Dielectric Constant 介電常數(shù).

介電常數(shù)是表征電容性能的一重要參數(shù)，越小越好,它與導電性能成反比。

   ￡=Cd/S ,C=￡S/d

60)   Diffusion 擴散

在一杯很純的水上點一滴紅墨水，不久后可發(fā)現(xiàn)水表面顏色漸漸淡去，而水面下漸漸染紅，但顏色是愈來愈淡，這即是擴散的一例。在半導體工業(yè)上常在很純的硅芯片上以預置或離子植入的方式做擴散源(即紅墨水)。因固態(tài)擴散比液體慢很多(約數(shù)億年)，故以進爐管加高溫的方式，使擴散在數(shù)小時內(nèi)完成

61)   Diffusion Coefficient 擴散系數(shù)

擴散系數(shù)是描述雜質(zhì)在晶體中擴散快慢的一個參數(shù)。這與擴散條件下的溫度，壓強，濃度成正比。

       D=D0exp(-Ea/KT)

       D0是外插至無限大溫度所得的擴散系數(shù)(cm2/s)

       Ea是活化能(ev)

       在低濃度時,擴散系數(shù)對溫度倒數(shù)為線性關系,而與濃度無關

62)   Diffusion Furnace 擴散爐

在半導體工業(yè)上常在很純的硅芯片上以預置或離子植入的方式做擴散源(即紅墨水)。因固態(tài)擴散比液體慢很多(約數(shù)億年)，故以進爐管加高溫的方式，使擴散在數(shù)小時內(nèi)完成。這樣的爐管就叫做擴散爐。

63)   Diffusion Pump 擴散式泵

通過加熱油，油氣蒸發(fā)高速噴射出去，帶出氣體分子，達到抽氣的目的。它可以達到10-5Torr.

64)   Dimple

凹痕表面上輕微的下陷或凹陷。

65) DI Water去離子水

IC制造過程中，常需要用酸堿溶液來蝕刻，清洗芯片。這些步驟之后，又須利用水把芯片表面殘留的酸堿清除。而且水的用量是相當大。

        然而IC工業(yè)用水，并不是一般的自來水，而是自來水或地下水經(jīng)過一系列的純化而成。原來自來水或地下水中，含有大量的細菌，金屬離子及Particle，經(jīng)廠務的設備將之殺菌過濾和純化后，即可把金屬離子等雜質(zhì)去除，所得的水即稱為"去離子水"。專供IC制造的用。

66)   Donor 施體

我們將使原本本征的半導體產(chǎn)生多余電子的雜質(zhì)，稱為施體。如摻入p的情況。

67)   Dopant 摻雜

在原本本征的半導體里主動的植入或通過擴散的方法將其它的原子或離子摻入進去，達到改變其電性能的方法。如離子植入。

68)   Dopant Drive in 雜質(zhì)的趕入

我們離子植入后，一般植入的離子分布達不到我們的要求，我們通過進爐管加高溫的方式將離子進行擴散，以達到我們對離子分布的要求，同時對離子植入造成的缺陷進行修復。

69)   Dopant Source摻雜源

我們將通過擴散的方法進行摻雜的物資叫摻雜源，例如將Poly里摻入P的POCl3我們將其叫

摻雜源。

70) Doping摻入雜質(zhì)

為使組件運作，芯片必須摻以雜質(zhì)，一般常用的有：

1.預置:    

     在爐管內(nèi)通以飽和的雜質(zhì)蒸氣，使芯片表面有一高濃度的雜質(zhì)層，然后以高溫使雜質(zhì)驅(qū)入，擴散;或利用沉積時同時進行預置。  

2.離子植入:    

先使雜質(zhì)游離，然后加速植入芯片。

71)   Dosage 劑量

表示離子數(shù)的一個參數(shù)。

72) DRAM, SRAM動態(tài)，靜態(tài)隨機存取內(nèi)存

隨機存取記憶器可分動態(tài)及靜態(tài)兩種，主要的差異在于動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)，在一  段時間(一般是0.5ms~5ms）后，數(shù)據(jù)會消失，故必須在數(shù)據(jù)未消失前讀取原數(shù)據(jù)再重寫(refresh)，此為其最大缺點，此外速度較慢也是其缺點。而DRAM的最大好處為，其每一記憶單元(bit)只需一個Transistor(晶體管）+一個Capacitor(電容器)，故最省面積，而有最高的密度。而SRAM則有不需重寫、速度快的優(yōu)點，但是密度低，其每一記憶單元(bit)有兩類:

1. 需要六個Transistor(晶體管）

2. 2﹒四個Transistor(晶體管）+兩個Load resistor(負載電阻)。

由于上述它優(yōu)缺點，DRAM一般皆用在PC(個人計算機)或其它不需高速且記憶容量大的記憶器，而SRAM則用于高速的中大型計算機或其它只需小記憶容量，如：監(jiān)視器(Monitor)、打印機(Printer)等周控制或工業(yè)控制上。

73) Drain 汲極

通過摻雜，使其電性與底材P-Si相反的，我們將其稱為汲極與源極。

74) Drive In 驅(qū)入

離子植入(ion implantation)雖然能較精確地選擇雜質(zhì)數(shù)量，但受限于離子能量，無法將雜質(zhì)打入芯片較深(um級)的區(qū)域，因此需借著原子有從高濃度往低濃度擴散的性質(zhì)，在相當高的溫度去進行，一方面將雜質(zhì)擴散到較深的區(qū)域，且使雜質(zhì)原子占據(jù)硅原子位置，產(chǎn)生所要的電性，另外也可將植入時產(chǎn)生的缺陷消除。此方法稱的驅(qū)入。此法不再加入半導體雜質(zhì)總量，只將表面的雜質(zhì)往半導體內(nèi)更深入的推進。

      在驅(qū)入時，常通入一些氧氣﹒因為硅氧化時，會產(chǎn)生一些缺陷，如空洞(Vacancy)，這些缺陷會有助于雜質(zhì)原子的擴散速度。另外，由于驅(qū)入是藉原子的擴散，因此其方向性是各方均等，甚至有可能從芯片逸出(out-diffusion)，這是需要注意的

75) Dry Oxidation 干式氧化

在通入的氣體中只有氧氣與載氣，只有氧氣與底材發(fā)生氧化反應。我們將這種氧化叫干式氧化。

        如我們的Gate-OX，這種方法生成的SiO2質(zhì)量比較好，但生成速度比較慢。

76) Dry pump

Ø Dry pump是最基本的真空pump,它是利用螺桿原理來工作的，它主要的特點是可以從大氣壓下直接開始抽氣，所以可以單獨使用。

Ø 一般真空度要求不高（E-3torr以下）如CVD及furnace僅使用dry pump即可

Ø 特點：Fewer moving parts

                      Higher Reliability

                      Less complexity

                      High speed

77) Dummy Wafer 擋片

對制程起一定輔助作用的硅片，區(qū)別于產(chǎn)品、控片，一般對其質(zhì)量要求不是很高。

1）由于爐管的兩端溫度不穩(wěn)定，氣體的流量不穩(wěn)定，所以我們在Boat的兩端放入不是產(chǎn)品

          的硅片，我們將這樣的硅片叫擋片。

       2）離子植入若產(chǎn)品不足，則需補上非產(chǎn)品的硅片，即擋片

78) Electron/Hole電子/電洞

電子是構成原子的帶電粒子，帶有一單位的負電荷，環(huán)繞在原子核四周，形成原子。

電洞是晶體中，在原子核間的共享電子，因受熱干擾或雜質(zhì)原子取代，電子離開原有的位置所遺留下來的"空缺"  因缺少一個電子，無法維持電中性， 可視為帶有一單位的正電荷。

79) Electrical Breakdown 電崩潰

當NMOS的溝道縮短，溝道接近汲極地區(qū)的載子將倍增，這些因載子倍增所產(chǎn)生的電子，通常吸往汲極，而增加汲極電流的大小，部分電子則足以射入閘氧化層里，而產(chǎn)生的電洞，將流往低材，而產(chǎn)生底材電流；另一部分的電洞則被源極收集，使npn現(xiàn)象加強，熱電子的數(shù)量增加，足使更多的載子倍增，當超過閘極氧化層的承受能力時，就擊穿閘氧化層，我們將這種現(xiàn)象叫電崩潰。

80) Electromigration電子遷移

所謂電子遷移，乃指在電流作用下的金屬。此系電子的動量傳給帶正電的金屬離子所造成的。當組件尺寸愈縮小時，相對地電流密度則愈來愈大;當此大電流經(jīng)過集成電路中的薄金屬層時，某些地方的金屬離子會堆積起來，而某些地方則有金屬空缺情形，如此一來，堆積金屬會使鄰近的導體短路，而金屬空缺則會引起斷路。材料搬動主要原動力為晶界擴散。以濺鍍法所沉積的Al，經(jīng)過適當?shù)腁nneal之后，通常是以多晶（Poly-Crystalline）形式存在，當導電時，因為電場的影響，Al原子將沿著晶粒界面（Grain-Boundary）移動。

有些方法可增加鋁膜導體對電遷移的抗力，例如:加入抗電移能力較強的金屬，如Cu

G&DL)ePu]m  
82) EM（Electron Migration Test）電子遷移可靠度測試

當電流經(jīng)過金屬導線，使金屬原子獲得能量，沿區(qū)塊邊界(Grain Boundaries)擴散(Diffusion)，使金屬線產(chǎn)生空洞(Void)，甚至斷裂，形成失效。

83) Energy能量

        能量是物理學的專有名詞。  

84) 增強型Enhance MOS：

|Vg|>|Vt|時，處于“開（ON）”的狀態(tài)，且當|Vg|<|Vt|時，電晶體則在“關（OFF）”的狀態(tài)。它的通道必須在閘極處于適當?shù)碾妷合聲r才會形成。

85) EPI WAFER磊晶芯片

磊晶系在晶體表面成長一層晶體。

86) Epitaxy 磊晶

外延附生：一種礦物的結晶附于另一礦物結晶表面的生長，這樣兩種礦物的結晶基層就會有同樣的構造來源

87) EPROM （Erasable-Programmable ROM）電子可程序只讀存儲器

     MASK ROM內(nèi)所存的數(shù)據(jù)是在FAB內(nèi)制造過程中便已設定好，制造完后便無法改變。就

像任天堂游戲卡內(nèi)的MASK ROM，存的是金牌瑪麗，就無法變成雙截龍。而EPROM是在ROM內(nèi)加一特殊結構叫A FAMDS，它可使ROM內(nèi)的數(shù)據(jù)保存。但常紫外光照到它時，它會使ROM內(nèi)的數(shù)據(jù)消失，每一個記憶單位都歸零。然后工程人員再依程序的規(guī)范，用30伏左右的電壓將0101…數(shù)據(jù)灌入每一記憶單位。如此就可灌電壓，照紫光，重復使用，存入不同的數(shù)據(jù)。

    也就是說如果任天堂游戲卡內(nèi)使用的是EPROM，那么您打膩了金牌瑪麗，就把卡匣照紫光，然后灌雙截龍的程序進去。卡匣就變成雙截龍卡，不用去交換店交換了。

88) ESD靜電破壞 Electrostatic Damage靜電放電Electrostatic Discharge

自然界的物質(zhì)均由原子組成，而原子又由質(zhì)子、中子及電子組成，在平常狀態(tài)下，物質(zhì)呈中性，而在日�；顒又�，會使物質(zhì)失去電子，或得到電子﹒此即產(chǎn)生一靜電，得到     電子的物質(zhì)為帶負靜電，失去電子即帶正靜電。靜電大小會隨著日常的工作環(huán)境而有所不同，如下表所示。

91) Exposure曝光

          其意表略同于照相機底片的感光

          在基集成電路的制造過程中，定義出精細的光阻圖形為其中重要的步驟，以運用最廣的5X Stepper為例，其方式為以對紫外線敏感的光阻膜作為類似照相機底片，光罩上則有我們所設計的各種圖形，以特殊波長的光線(G-LINE 436NM)照射光罩后，經(jīng)過縮小鏡片(Reduction Lens)光罩上的圖形則呈5倍縮小后，精確地定義在底片上(芯片上的光阻膜)

            經(jīng)過顯影后，即可將照到光(正光阻)的光阻顯掉，而得到我們想要的各種精細圖形，以作為蝕刻或離子植入用。

  因光阻對于某特定波長的光線特別敏感，故在黃光室中，找將一切照明用光源過濾成黃色，以避免泛白光源中含有對光阻有感光能力的波長成份在，這一點各相關人員應特別注意，否則會發(fā)生光線污染現(xiàn)象，而擾亂精細的光阻圖形。

92) Extraction Electrode 萃取電極

93) Fab 晶圓廠

Fabrication為"裝配"或"制造"之意，與Manufacture意思一樣。半導體制造程序，其步驟繁多，且制程復雜，需要有非常精密的設備和細心的作業(yè)，才能達到無缺點的品質(zhì)。FAB系Fabrication的縮寫，指的是"工廠"之意。我們常稱FAB為"晶圓區(qū)"，例如：進去"FAB"之前須穿上防塵衣。

94) Faraday Cup 法拉第杯

是離子植入機中在植入前用來測量離子束電流的裝置。

95) Field Oxide 場氧化層

Field直譯的意思是“場”。如運動場，足球場和武道場等的場都叫做Field。它的涵義就是一個有專門用途的區(qū)域。

     在IC內(nèi)部結構中，有一區(qū)域是隔離電場的地方，通常介于兩個MOS晶體管之間，稱為場區(qū)。場區(qū)之上大部份會長一層厚的氧化層

          

96) Filament 燈絲

在離子植入機的離子源反應室里用來產(chǎn)生電子以解離氣體用。通常采用鎢、鉭及鉬等高溫金屬。利用直流電的加熱，使燈絲表面釋放出所謂“熱離化電子”。

97) Filtration過濾

        用過濾器（FILTER,為一半透明膜折迭而成）將液體或氣體中的雜質(zhì)給過濾掉，此稱為Filtration（過濾）故IC制造業(yè)對潔凈度的要求是非常的嚴，故各種使用的液體或氣體（包括大氣）必須借著過濾以達到潔凈的要求。

待過濾的液體及氣體能經(jīng)過過濾器且成功地將雜質(zhì)擋下，必須借著一個pump制造壓差來完成，如何選擇一組恰當?shù)倪^濾器及PUMP是首要的課題。

98) Fixed Oxide Charge 固定氧化層電荷

位于離Si-SiO2接口30Å的氧化層內(nèi)，通常為正電荷。與氧化條件、退火條件及硅表面方

向有關。

99) Foundry客戶委托加工

客戶委托加工主要是接受客戶委托，生產(chǎn)客戶自有權利的產(chǎn)品，也就是客戶提供光罩，由聯(lián)華來生產(chǎn)制造，在將成品出售給客戶，只收取代工費用，這種純粹代工，不涉及銷售的方式在國際間較通常的稱呼就叫硅代工（Silicon Foundry）。

100) Four Point Probe四點測針

是量測芯片片阻值(Sheet Resistance)Rs的儀器