51) Densify密化

CVD沈積后由于所沈積的薄膜(Thin Film)的密度很低，故以高溫步驟使薄膜中的分子重新結(jié)合以提高其密度，此種高溫步驟即稱為密化。密化通常以爐管在800℃以上的溫度完成，但也可在RTP(Rapid Thermal Process) (快速升降溫機(jī)臺(tái))完成。

52) 空乏型Depletion MOS：

操作性質(zhì)與增強(qiáng)型MOS相反，它的通道不須要任何閘極的加壓（Vg）便已存在，而必須在適當(dāng)?shù)腣g下才消失。

53) Deposition Rate 沉積速率

表示薄膜成長快慢的參數(shù)。一般單位Å/min

54)   Depth of Well 井深

  顧名思義即阱的深度。通過離子植入法植入雜質(zhì)如磷離子或硼離子，然后通過Drive in將離子往下推所達(dá)到的深度。

55)   Design Rule設(shè)計(jì)規(guī)范

由于半導(dǎo)體制程技術(shù)，系一門專業(yè)、精致又復(fù)雜的技術(shù)，容易受到不同制造設(shè)備制程方法( RECIPE )的影響，故在考慮各項(xiàng)產(chǎn)品如何從事制造技術(shù)完善、成功地制造出來時(shí)，須有一套規(guī)范來做有關(guān)技術(shù)上的規(guī)定，此即"Design Rule"，其系依照各種不同產(chǎn)品的需求、規(guī)格，制造設(shè)備及制程方法、制程能力，各項(xiàng)相關(guān)電性參數(shù)規(guī)格等考慮，訂正了如：

Ø 各制程層次、線路之間距離、線寬等的規(guī)格。

Ø 各制程層次厚度、深度等的規(guī)格。

Ø 各項(xiàng)電性參數(shù)等的規(guī)格。  

等規(guī)格，以供產(chǎn)品設(shè)計(jì)者及制程技術(shù)工程師等人遵循、參考

56) DHF

Dilute HF，一般用來去除native oxide，稀釋的HF( Dilute HF) HF：H2O=1:50

57)   Die 晶粒

一片芯片(OR晶圓，即Wafer)上有許多相同的方形小單位，這些小單位即稱為晶粒。

    同一芯片上的每個(gè)晶粒都是相同的構(gòu)造，具有相同的功能，每個(gè)晶粒經(jīng)包裝后，可制成一顆顆我們?nèi)粘Ｉ�活中常見的IC，故每一芯片所能制造出的IC數(shù)量是很可觀的。同樣地，如果因制造的疏忽而產(chǎn)生的缺點(diǎn)，往住就會(huì)波及成百成千個(gè)產(chǎn)品。

58) Dielectric 介電材料

介于導(dǎo)電材料之間的絕緣材料。我們常用的介電材料有SiO2,Si3N4，我們需要的介電材料要求：1.良好的stepcoverage ，2.低介電常數(shù)， 3.高崩潰電壓，4.低應(yīng)力，5.平坦性好。

介電材料的性質(zhì)

Ø 良好的Step coverage、低介電常數(shù)、平坦性。

Ø 理想保護(hù)層的性質(zhì)

Ø 沉積均勻、抗裂能力、低針孔密度、能抵抗水氣及堿金屬離子的穿透，硬度佳。

Ø 主要介電材質(zhì):SiO2  PSG 與 BPSG  Si3N4  

59) Dielectric Constant 介電常數(shù).

介電常數(shù)是表征電容性能的一重要參數(shù)，越小越好,它與導(dǎo)電性能成反比。

   ￡=Cd/S ,C=￡S/d

60)   Diffusion 擴(kuò)散

在一杯很純的水上點(diǎn)一滴紅墨水，不久后可發(fā)現(xiàn)水表面顏色漸漸淡去，而水面下漸漸染紅，但顏色是愈來愈淡，這即是擴(kuò)散的一例。在半導(dǎo)體工業(yè)上常在很純的硅芯片上以預(yù)置或離子植入的方式做擴(kuò)散源(即紅墨水)。因固態(tài)擴(kuò)散比液體慢很多(約數(shù)億年)，故以進(jìn)爐管加高溫的方式，使擴(kuò)散在數(shù)小時(shí)內(nèi)完成

61)   Diffusion Coefficient 擴(kuò)散系數(shù)

擴(kuò)散系數(shù)是描述雜質(zhì)在晶體中擴(kuò)散快慢的一個(gè)參數(shù)。這與擴(kuò)散條件下的溫度，壓強(qiáng)，濃度成正比。

       D=D0exp(-Ea/KT)

       D0是外插至無限大溫度所得的擴(kuò)散系數(shù)(cm2/s)

       Ea是活化能(ev)

       在低濃度時(shí),擴(kuò)散系數(shù)對(duì)溫度倒數(shù)為線性關(guān)系,而與濃度無關(guān)

62)   Diffusion Furnace 擴(kuò)散爐

在半導(dǎo)體工業(yè)上常在很純的硅芯片上以預(yù)置或離子植入的方式做擴(kuò)散源(即紅墨水)。因固態(tài)擴(kuò)散比液體慢很多(約數(shù)億年)，故以進(jìn)爐管加高溫的方式，使擴(kuò)散在數(shù)小時(shí)內(nèi)完成。這樣的爐管就叫做擴(kuò)散爐。

63)   Diffusion Pump 擴(kuò)散式泵

通過加熱油，油氣蒸發(fā)高速噴射出去，帶出氣體分子，達(dá)到抽氣的目的。它可以達(dá)到10-5Torr.

64)   Dimple

凹痕表面上輕微的下陷或凹陷。

65) DI Water去離子水

IC制造過程中，常需要用酸堿溶液來蝕刻，清洗芯片。這些步驟之后，又須利用水把芯片表面殘留的酸堿清除。而且水的用量是相當(dāng)大。

        然而IC工業(yè)用水，并不是一般的自來水，而是自來水或地下水經(jīng)過一系列的純化而成。原來自來水或地下水中，含有大量的細(xì)菌，金屬離子及Particle，經(jīng)廠務(wù)的設(shè)備將之殺菌過濾和純化后，即可把金屬離子等雜質(zhì)去除，所得的水即稱為"去離子水"。專供IC制造的用。

66)   Donor 施體

我們將使原本本征的半導(dǎo)體產(chǎn)生多余電子的雜質(zhì)，稱為施體。如摻入p的情況。

67)   Dopant 摻雜

在原本本征的半導(dǎo)體里主動(dòng)的植入或通過擴(kuò)散的方法將其它的原子或離子摻入進(jìn)去，達(dá)到改變其電性能的方法。如離子植入。

68)   Dopant Drive in 雜質(zhì)的趕入

我們離子植入后，一般植入的離子分布達(dá)不到我們的要求，我們通過進(jìn)爐管加高溫的方式將離子進(jìn)行擴(kuò)散，以達(dá)到我們對(duì)離子分布的要求，同時(shí)對(duì)離子植入造成的缺陷進(jìn)行修復(fù)。

69)   Dopant Source摻雜源

我們將通過擴(kuò)散的方法進(jìn)行摻雜的物資叫摻雜源，例如將Poly里摻入P的POCl3我們將其叫

摻雜源。

70) Doping摻入雜質(zhì)

為使組件運(yùn)作，芯片必須摻以雜質(zhì)，一般常用的有：

1.預(yù)置:    

     在爐管內(nèi)通以飽和的雜質(zhì)蒸氣，使芯片表面有一高濃度的雜質(zhì)層，然后以高溫使雜質(zhì)驅(qū)入，擴(kuò)散;或利用沉積時(shí)同時(shí)進(jìn)行預(yù)置。  

2.離子植入:    

先使雜質(zhì)游離，然后加速植入芯片。

71)   Dosage 劑量

表示離子數(shù)的一個(gè)參數(shù)。

72) DRAM, SRAM動(dòng)態(tài)，靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存

隨機(jī)存取記憶器可分動(dòng)態(tài)及靜態(tài)兩種，主要的差異在于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)，在一  段時(shí)間(一般是0.5ms~5ms）后，數(shù)據(jù)會(huì)消失，故必須在數(shù)據(jù)未消失前讀取原數(shù)據(jù)再重寫(refresh)，此為其最大缺點(diǎn)，此外速度較慢也是其缺點(diǎn)。而DRAM的最大好處為，其每一記憶單元(bit)只需一個(gè)Transistor(晶體管）+一個(gè)Capacitor(電容器)，故最省面積，而有最高的密度。而SRAM則有不需重寫、速度快的優(yōu)點(diǎn)，但是密度低，其每一記憶單元(bit)有兩類:

1. 需要六個(gè)Transistor(晶體管）

2. 2﹒四個(gè)Transistor(晶體管）+兩個(gè)Load resistor(負(fù)載電阻)。

由于上述它優(yōu)缺點(diǎn)，DRAM一般皆用在PC(個(gè)人計(jì)算機(jī))或其它不需高速且記憶容量大的記憶器，而SRAM則用于高速的中大型計(jì)算機(jī)或其它只需小記憶容量，如：監(jiān)視器(Monitor)、打印機(jī)(Printer)等周控制或工業(yè)控制上。

73) Drain 汲極

通過摻雜，使其電性與底材P-Si相反的，我們將其稱為汲極與源極。

74) Drive In 驅(qū)入

離子植入(ion implantation)雖然能較精確地選擇雜質(zhì)數(shù)量，但受限于離子能量，無法將雜質(zhì)打入芯片較深(um級(jí))的區(qū)域，因此需借著原子有從高濃度往低濃度擴(kuò)散的性質(zhì)，在相當(dāng)高的溫度去進(jìn)行，一方面將雜質(zhì)擴(kuò)散到較深的區(qū)域，且使雜質(zhì)原子占據(jù)硅原子位置，產(chǎn)生所要的電性，另外也可將植入時(shí)產(chǎn)生的缺陷消除。此方法稱的驅(qū)入。此法不再加入半導(dǎo)體雜質(zhì)總量，只將表面的雜質(zhì)往半導(dǎo)體內(nèi)更深入的推進(jìn)。

      在驅(qū)入時(shí)，常通入一些氧氣﹒因?yàn)楣柩趸瘯r(shí)，會(huì)產(chǎn)生一些缺陷，如空洞(Vacancy)，這些缺陷會(huì)有助于雜質(zhì)原子的擴(kuò)散速度。另外，由于驅(qū)入是藉原子的擴(kuò)散，因此其方向性是各方均等，甚至有可能從芯片逸出(out-diffusion)，這是需要注意的

75) Dry Oxidation 干式氧化

在通入的氣體中只有氧氣與載氣，只有氧氣與底材發(fā)生氧化反應(yīng)。我們將這種氧化叫干式氧化。

        如我們的Gate-OX，這種方法生成的SiO2質(zhì)量比較好，但生成速度比較慢。

76) Dry pump

Ø Dry pump是最基本的真空pump,它是利用螺桿原理來工作的，它主要的特點(diǎn)是可以從大氣壓下直接開始抽氣，所以可以單獨(dú)使用。

Ø 一般真空度要求不高（E-3torr以下）如CVD及furnace僅使用dry pump即可

Ø 特點(diǎn)：Fewer moving parts

                      Higher Reliability

                      Less complexity

                      High speed

77) Dummy Wafer 擋片

對(duì)制程起一定輔助作用的硅片，區(qū)別于產(chǎn)品、控片，一般對(duì)其質(zhì)量要求不是很高。

1）由于爐管的兩端溫度不穩(wěn)定，氣體的流量不穩(wěn)定，所以我們?cè)贐oat的兩端放入不是產(chǎn)品

          的硅片，我們將這樣的硅片叫擋片。

       2）離子植入若產(chǎn)品不足，則需補(bǔ)上非產(chǎn)品的硅片，即擋片

78) Electron/Hole電子/電洞

電子是構(gòu)成原子的帶電粒子，帶有一單位的負(fù)電荷，環(huán)繞在原子核四周，形成原子。

電洞是晶體中，在原子核間的共享電子，因受熱干擾或雜質(zhì)原子取代，電子離開原有的位置所遺留下來的"空缺"  因缺少一個(gè)電子，無法維持電中性， 可視為帶有一單位的正電荷。

79) Electrical Breakdown 電崩潰

當(dāng)NMOS的溝道縮短，溝道接近汲極地區(qū)的載子將倍增，這些因載子倍增所產(chǎn)生的電子，通常吸往汲極，而增加汲極電流的大小，部分電子則足以射入閘氧化層里，而產(chǎn)生的電洞，將流往低材，而產(chǎn)生底材電流；另一部分的電洞則被源極收集，使npn現(xiàn)象加強(qiáng)，熱電子的數(shù)量增加，足使更多的載子倍增，當(dāng)超過閘極氧化層的承受能力時(shí)，就擊穿閘氧化層，我們將這種現(xiàn)象叫電崩潰。

80) Electromigration電子遷移

所謂電子遷移，乃指在電流作用下的金屬。此系電子的動(dòng)量傳給帶正電的金屬離子所造成的。當(dāng)組件尺寸愈縮小時(shí)，相對(duì)地電流密度則愈來愈大;當(dāng)此大電流經(jīng)過集成電路中的薄金屬層時(shí)，某些地方的金屬離子會(huì)堆積起來，而某些地方則有金屬空缺情形，如此一來，堆積金屬會(huì)使鄰近的導(dǎo)體短路，而金屬空缺則會(huì)引起斷路。材料搬動(dòng)主要原動(dòng)力為晶界擴(kuò)散。以濺鍍法所沉積的Al，經(jīng)過適當(dāng)?shù)腁nneal之后，通常是以多晶（Poly-Crystalline）形式存在，當(dāng)導(dǎo)電時(shí)，因?yàn)殡妶龅挠绊�，Al原子將沿著晶粒界面（Grain-Boundary）移動(dòng)。

有些方法可增加鋁膜導(dǎo)體對(duì)電遷移的抗力，例如:加入抗電移能力較強(qiáng)的金屬，如Cu

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82) EM（Electron Migration Test）電子遷移可靠度測試

當(dāng)電流經(jīng)過金屬導(dǎo)線，使金屬原子獲得能量，沿區(qū)塊邊界(Grain Boundaries)擴(kuò)散(Diffusion)，使金屬線產(chǎn)生空洞(Void)，甚至斷裂，形成失效。

83) Energy能量

        能量是物理學(xué)的專有名詞。  

84) 增強(qiáng)型Enhance MOS：

|Vg|>|Vt|時(shí)，處于“開（ON）”的狀態(tài)，且當(dāng)|Vg|<|Vt|時(shí)，電晶體則在“關(guān)（OFF）”的狀態(tài)。它的通道必須在閘極處于適當(dāng)?shù)碾妷合聲r(shí)才會(huì)形成。

85) EPI WAFER磊晶芯片

磊晶系在晶體表面成長一層晶體。

86) Epitaxy 磊晶

外延附生：一種礦物的結(jié)晶附于另一礦物結(jié)晶表面的生長，這樣兩種礦物的結(jié)晶基層就會(huì)有同樣的構(gòu)造來源

87) EPROM （Erasable-Programmable ROM）電子可程序只讀存儲(chǔ)器

     MASK ROM內(nèi)所存的數(shù)據(jù)是在FAB內(nèi)制造過程中便已設(shè)定好，制造完后便無法改變。就

像任天堂游戲卡內(nèi)的MASK ROM，存的是金牌瑪麗，就無法變成雙截龍。而EPROM是在ROM內(nèi)加一特殊結(jié)構(gòu)叫A FAMDS，它可使ROM內(nèi)的數(shù)據(jù)保存。但常紫外光照到它時(shí)，它會(huì)使ROM內(nèi)的數(shù)據(jù)消失，每一個(gè)記憶單位都?xì)w零。然后工程人員再依程序的規(guī)范，用30伏左右的電壓將0101…數(shù)據(jù)灌入每一記憶單位。如此就可灌電壓，照紫光，重復(fù)使用，存入不同的數(shù)據(jù)。

    也就是說如果任天堂游戲卡內(nèi)使用的是EPROM，那么您打膩了金牌瑪麗，就把卡匣照紫光，然后灌雙截龍的程序進(jìn)去�？ㄏ痪妥兂呻p截龍卡，不用去交換店交換了。

88) ESD靜電破壞 Electrostatic Damage靜電放電Electrostatic Discharge

自然界的物質(zhì)均由原子組成，而原子又由質(zhì)子、中子及電子組成，在平常狀態(tài)下，物質(zhì)呈中性，而在日常活動(dòng)中，會(huì)使物質(zhì)失去電子，或得到電子﹒此即產(chǎn)生一靜電，得到     電子的物質(zhì)為帶負(fù)靜電，失去電子即帶正靜電。靜電大小會(huì)隨著日常的工作環(huán)境而有所不同，如下表所示。

91) Exposure曝光

          其意表略同于照相機(jī)底片的感光

          在基集成電路的制造過程中，定義出精細(xì)的光阻圖形為其中重要的步驟，以運(yùn)用最廣的5X Stepper為例，其方式為以對(duì)紫外線敏感的光阻膜作為類似照相機(jī)底片，光罩上則有我們所設(shè)計(jì)的各種圖形，以特殊波長的光線(G-LINE 436NM)照射光罩后，經(jīng)過縮小鏡片(Reduction Lens)光罩上的圖形則呈5倍縮小后，精確地定義在底片上(芯片上的光阻膜)

            經(jīng)過顯影后，即可將照到光(正光阻)的光阻顯掉，而得到我們想要的各種精細(xì)圖形，以作為蝕刻或離子植入用。

  因光阻對(duì)于某特定波長的光線特別敏感，故在黃光室中，找將一切照明用光源過濾成黃色，以避免泛白光源中含有對(duì)光阻有感光能力的波長成份在，這一點(diǎn)各相關(guān)人員應(yīng)特別注意，否則會(huì)發(fā)生光線污染現(xiàn)象，而擾亂精細(xì)的光阻圖形。

92) Extraction Electrode 萃取電極

93) Fab 晶圓廠

Fabrication為"裝配"或"制造"之意，與Manufacture意思一樣。半導(dǎo)體制造程序，其步驟繁多，且制程復(fù)雜，需要有非常精密的設(shè)備和細(xì)心的作業(yè)，才能達(dá)到無缺點(diǎn)的品質(zhì)。FAB系Fabrication的縮寫，指的是"工廠"之意。我們常稱FAB為"晶圓區(qū)"，例如：進(jìn)去"FAB"之前須穿上防塵衣。

94) Faraday Cup 法拉第杯

是離子植入機(jī)中在植入前用來測量離子束電流的裝置。

95) Field Oxide 場氧化層

Field直譯的意思是“場”。如運(yùn)動(dòng)場，足球場和武道場等的場都叫做Field。它的涵義就是一個(gè)有專門用途的區(qū)域。

     在IC內(nèi)部結(jié)構(gòu)中，有一區(qū)域是隔離電場的地方，通常介于兩個(gè)MOS晶體管之間，稱為場區(qū)。場區(qū)之上大部份會(huì)長一層厚的氧化層

          

96) Filament 燈絲

在離子植入機(jī)的離子源反應(yīng)室里用來產(chǎn)生電子以解離氣體用。通常采用鎢、鉭及鉬等高溫金屬。利用直流電的加熱，使燈絲表面釋放出所謂“熱離化電子”。

97) Filtration過濾

        用過濾器（FILTER,為一半透明膜折迭而成）將液體或氣體中的雜質(zhì)給過濾掉，此稱為Filtration（過濾）故IC制造業(yè)對(duì)潔凈度的要求是非常的嚴(yán)，故各種使用的液體或氣體（包括大氣）必須借著過濾以達(dá)到潔凈的要求。

待過濾的液體及氣體能經(jīng)過過濾器且成功地將雜質(zhì)擋下，必須借著一個(gè)pump制造壓差來完成，如何選擇一組恰當(dāng)?shù)倪^濾器及PUMP是首要的課題。

98) Fixed Oxide Charge 固定氧化層電荷

位于離Si-SiO2接口30Å的氧化層內(nèi)，通常為正電荷。與氧化條件、退火條件及硅表面方

向有關(guān)。

99) Foundry客戶委托加工

客戶委托加工主要是接受客戶委托，生產(chǎn)客戶自有權(quán)利的產(chǎn)品，也就是客戶提供光罩，由聯(lián)華來生產(chǎn)制造，在將成品出售給客戶，只收取代工費(fèi)用，這種純粹代工，不涉及銷售的方式在國際間較通常的稱呼就叫硅代工（Silicon Foundry）。

100) Four Point Probe四點(diǎn)測針

是量測芯片片阻值(Sheet Resistance)Rs的儀器