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半導(dǎo)體術(shù)語(yǔ)含義（五） 184) Short Channel Effect 短通道效應(yīng) 當(dāng)MOS組件愈小，信道的長(zhǎng)度將隨之縮短，電晶體的操作速度將加快，但是，MOS電晶體 的通道長(zhǎng)度并不能無(wú)限制縮減，當(dāng)長(zhǎng)度縮短到一定的程度之后，各種因通道長(zhǎng)度變小所衍生的問(wèn)題便會(huì)發(fā)生，這個(gè)現(xiàn)象稱為“短通道效應(yīng)”。 185) Selectivity選擇性 兩種材抖，分別以相同的酸液或電漿作蝕刻其兩蝕刻率的比值，謂之: 例如，復(fù)晶電漿蝕： 對(duì)復(fù)晶的蝕刻率為2OO0Å /min (分) 對(duì)氧化層的蝕刻率為20OÅ /min (分) 則復(fù)晶對(duì)氧化層的選擇性:S 20OO Å/min file:///C:\Users\bstc\AppData\Local\Temp\ksohtml1336\wps183.png S= ＝10 2OO Å/min 選擇性愈高表示蝕刻特性愈好，一般干式蝕刻選擇性較化學(xué)濕蝕刻為差，吾人取較高的選擇性的目的即在于電漿蝕刻專心蝕刻該蝕刻的氧化層，而不會(huì)傷害到上層光阻或下層氧化層，以確保蝕刻的完整性。 186) Silicide硅化物 一般稱為硅化物 (Silicide)，指耐火金屬 (Refratory Metal)的硅化物，如鈦 (Ti)、鎢(W)、鉬 (Mo)等元素硅(Si)結(jié)合而成的化合物 (TiSi2、WSi2、MoSi2)。 硅化物應(yīng)用在組件的目的，主要為降低金屬與硅界面、閘極或晶體管串連的阻抗，以增加組件的性能。以鈦的硅化物為例，其制造流程如下所示：
187) Silicide金屬硅化物 "Silicide"通常指金屬硅化物，為金屬輿硅的化合物。在微電子工業(yè)硅晶集成電路中主要用為： (1) 導(dǎo)體接觸(Ohmic Contact) (2) 單向能阻接觸(Schottky Barrier Contact) (3) 低阻閘極(Gate Electrode) (4) 組件間通路(Interconnect) 在VLSI(超大型積逞電路)時(shí)代中，接面深度及界面接觸面積分別降至次微米及1-2平方毫米。以往廣泛應(yīng)用為金屬接觸的Al，由于嚴(yán)重的穿入半導(dǎo)靠問(wèn)題，在VLSI中不再適用。再加上其它技術(shù)及應(yīng)用上的需求，金屬硅化物在集成電路工業(yè)上日益受重視。 用于集成電路中的金屬硅化物限于近貴重(Pt，Pd，Co， Ni，…)及高溫金屬(Ti，W，Mo，Ta)硅化物。 188) Silicon硅 硅--SI (全各SILICON)為自然界元素的一種，亦即我們使用的硅芯片組成元素，在元素周期表中排行14，原子量28.09，以結(jié)晶狀態(tài)存在(重復(fù)性單位細(xì)胞組成)，每一單位細(xì)胞為田一個(gè)硅原子在中心，與其它4個(gè)等位硅原子所組成的四面體(稱為鉆石結(jié)構(gòu))如圖標(biāo)中心原子以其4個(gè)外圍共價(jià)電子與鄰近的原子其原形或其價(jià)鍵的結(jié)合。硅元素的電子傳導(dǎo)特性介于金屬導(dǎo)體與絕緣體材料的間(故稱半導(dǎo)體材料)，人類可經(jīng)由溫度的變化，能量的激發(fā)及雜質(zhì)滲入后改變其傳導(dǎo)特性，再配合了適當(dāng)?shù)闹瞥滩襟E，便產(chǎn)生許多重要的電子組件，運(yùn)用在人類的日常生活中。 189) Silicon Nitride氮化硅 氮化硅是SixNy的學(xué)名。這種材料跟二氧化硅有甚多相似處。氮化硅通常用低壓化學(xué)氣相沈積法或電漿化學(xué)氣相沉積法所生成。 前者所得的薄膜品質(zhì)較佳，通常作IC隔離氧化技術(shù)中的阻隔層，而后者品質(zhì)稍差，但因其沉積時(shí)溫度甚低，可以作IC完成主結(jié)構(gòu)后的保護(hù)層。 190) Silicon Dioxide 二氧化硅 即SiO2，熱氧化生成的二氧化硅其特性是 a) 無(wú)定型結(jié)構(gòu) b) 很容易與硅反應(yīng)得到 c) 不容于水 d) 好的絕緣性 e) SiO2/Si界面態(tài)電荷低 通過(guò)不同方式制得的二氧化硅在IC制程中的應(yīng)用： l 緩沖層（buffer layer） l 隔離層（isolation) l 幕罩層（masking layer） l 介電材料（dielectric） l 保護(hù)層（passivation） 191) SOI(Silicon On Insulator)絕緣層上有硅 SOI“絕緣層上有硅”是指將一薄層硅置于一絕緣襯底上。晶體管將在稱之為"SOI" 的薄 層硅上制備�；赟OI結(jié)構(gòu)上的器件將在本質(zhì)上可以減小結(jié)電容和漏電流，提高開(kāi)關(guān)速度， 降低功耗，實(shí)現(xiàn)高速、低功耗運(yùn)行。作為下一代硅基集成電路技術(shù)，SOI廣泛應(yīng)用于微電 子的大多數(shù)領(lǐng)域，同時(shí)還在光電子、MEMS等其它領(lǐng)域得到應(yīng)用。 192) Siloxane 硅氧烷 硅氧烷是用來(lái)與含有Si-O網(wǎng)絡(luò)相溶的有機(jī)溶劑，本身含有有機(jī)類的官能基，如CH3和C6H5， 是屬于有機(jī)性的SOG來(lái)源，這些官能基，可以幫助改善這種SOG層的抗裂能力。 193) S.O.G. Spin on Glass旋涂式玻璃 旋制氧化硅 (Spin on Glass)是利用旋制芯片，將含有硅化物的溶液均勻地平涂于芯片上，再利用加熱方式與溶劑驅(qū)離，并將固體硅化物硬化成穩(wěn)定的非晶相氧化硅。其簡(jiǎn)單流程如下: 旋轉(zhuǎn)平涂→加熱燒烤→高溫硬化 (~450℃) 旋制氧化硅是應(yīng)用在組件制造中，金屬層間的平坦化(Planization)，以增加層與層之間的接合特性，避免空洞的形成及膜的剝裂。 其結(jié)構(gòu)如圖表示: 194) Solvent溶劑 1兩種物質(zhì)相互溶解混合成一種均勻的物質(zhì)時(shí)，較少的物質(zhì)被稱為溶質(zhì)，較多的物質(zhì)，被稱為溶劑。例如:糖溶解于水中．變成糖水，則糖為溶質(zhì)，水為溶劑，混合的結(jié)果，稱為溶液。 2 溶劑分有機(jī)溶劑與無(wú)機(jī)溶劑兩種: 2-1有機(jī)溶劑:分子內(nèi)含有碳(C)原子的，稱為有機(jī)溶劑，例如:丙酮 (CH3COCH3),IPA(CH3CHOHCH3) 2-2無(wú)機(jī)溶劑:分子內(nèi)不含有碳(C)原子的稱為無(wú)機(jī)溶劑 例如:硫酸(H2SO4)，輕氟酸(HF) 3 在FAB內(nèi)所通稱的溶劑，一般是指有機(jī)溶劑而言 212) Source 源極 位于MOS電容器旁，電性與硅底材相反的半導(dǎo)體區(qū)，且在上加壓。 213) Spacer 間隙壁 隔離閘極與其它兩個(gè)MOS電極，利用它與閘極所形成的結(jié)構(gòu)，來(lái)進(jìn)行S/D的重?fù)诫s。 214) SPC （Statistical Process Control） 統(tǒng)計(jì)，過(guò)程，控制英文的縮寫(xiě)，是一種質(zhì)量管理方法。自制程中搜集資料，加以統(tǒng)計(jì)分析，并從分析中發(fā)覺(jué)異常原因，采取改正行動(dòng)，使制程恢復(fù)正常，保持穩(wěn)定，并持續(xù)不斷提升制程能力的方法。 ü 因制程具有變異，故數(shù)據(jù)會(huì)有變異，而有不同的值出現(xiàn)穩(wěn)定時(shí)，其具有某種分配型態(tài) ü 制程為一無(wú)限母體，只能以抽樣方式，抽取少數(shù)的樣本，以推測(cè)制程母體的情況 ü 故運(yùn)用 “統(tǒng)計(jì)手法” 作為制程分析、管制及改善 的工具。 SPC的目的 Ø 維持正常的制程 (Under Statistical Control) 事先做好應(yīng)該做的 (標(biāo)準(zhǔn)，系統(tǒng)) – ex：monitor，機(jī)臺(tái)操作程序 制程異常發(fā)生能偵測(cè)出，并除去之，防止其再發(fā) Ø 能力要足 (Capable Process) 能力指標(biāo) 提升能力 – 持續(xù)改善 (廣義) 215) SpecIFication(SPEC) 規(guī)范是公司標(biāo)準(zhǔn)化最重要的項(xiàng)目之一，它規(guī)定了與生產(chǎn)有關(guān)事項(xiàng)的一切細(xì)節(jié)，包括機(jī)臺(tái)操作，潔凈室，設(shè)備及保養(yǎng)，材料，工具及配件，品管，可靠性，測(cè)試‥‥等等。 IC制造流程復(fù)雜，唯有把所有事項(xiàng)巨細(xì)靡遺的規(guī)范清楚，并確實(shí)執(zhí)行，才可能做好質(zhì)量管理。所有相關(guān)人員尤其是現(xiàn)場(chǎng)操作人員底隨時(shí)確實(shí)遵照規(guī)范執(zhí)行，檢討規(guī)范是否合理可行，相關(guān)規(guī)范是否有沖突，以達(dá)自主管理及全員參與標(biāo)準(zhǔn)化的目標(biāo)。 216) Spike 尖峰 硅在400°C左右對(duì)鋁有一定的固態(tài)溶解度，因此沉積在硅表面上的鋁，當(dāng)制程有經(jīng)歷溫度約 400°C以上的步驟時(shí)，Si因擴(kuò)散效應(yīng)而進(jìn)入鋁，且鋁也會(huì)回填Si因擴(kuò)散所遺留下來(lái)的空隙，而在鋁與硅底材進(jìn)行接觸的部分。 217) Spike TC 針型熱電偶 218) Spin Dry 旋干 通過(guò)高速旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力把硅片表面水滴驅(qū)除 219) SPM （Sulfuric acid , hydrogen-Peroxide Mixing） 用于中CR clean，化學(xué)組成是H2SO4+H2O2(120℃)能去除嚴(yán)重有機(jī)污染 H2SO4 + H2O2 → H2SO5 + H2O H2SO5 + PR → CO2 + H2O + H2SO4 必須不斷補(bǔ)充H2O2 220) Sputtering 濺鍍，濺擊 利用電漿所產(chǎn)生的離子，借著離子對(duì)被濺鍍物體電極的轟擊，使電漿的氣相（Vapor Phase）內(nèi)具有被鍍物的原子或離子，到達(dá)芯片表面并進(jìn)行沉積。 |
