芯片失效分析方法，過程及實驗室介紹 <b!ieK?\F3  
芯片常用分析手段： $M\|zUQu.  
1、X-Ray 無損偵測，可用于檢測 uN bO
tA  
IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性 T^h;T{H2  
PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接 O@[c
*3]e  
開路、短路或不正常連接的缺陷 "&/:"~r  
封裝中的錫球完整性 y3T-^  
2、SAT超聲波探傷儀/掃描超聲波顯微鏡 dj*%^c
I  
可對IC封裝內(nèi)部結構進行非破壞性檢測, 有效檢出因水氣或熱能所造成的各種破壞如﹕ t1p}
  
晶元面脫層 +}c '4hRv  
錫球、晶元或填膠中的裂縫 }49X  N  
封裝材料內(nèi)部的氣孔 IuDg-M[  
各種孔洞如晶元接合面、錫球、填膠等處的孔洞 5T,Doxo  
3、SEM掃描電鏡/EDX能量彌散X光儀 "?_adot5v  
可用于材料結構分析/缺陷觀察，元素組成常規(guī)微區(qū)分析，精確測量元器件尺寸 G)\s{qk  
4、三種常用漏電流路徑分析手段：EMMI微光顯微鏡/OBIRCH鐳射光束誘發(fā)阻抗值變化測試/LC 液晶熱點偵測 MdK!Y  
EMMI微光顯微鏡用于偵測ESD,Latch up, I/O Leakage, junction defect, hot electrons , oxide current leakage等所造成的異常。 .+3= H@8h  
OBIRCH常用于芯片內(nèi)部高阻抗及低阻抗分析，線路漏電路徑分析.利用OBIRCH方法，可以有效地對電路中缺陷定位，如線條中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻區(qū)等；也能有效的檢測短路或漏電,是發(fā)光顯微技術的有力補充。 GF5WR e(E  
LC可偵測因ESD,EOS應力破壞導致芯片失效的具體位置。 xZjl_bJ  
5、Probe Station 探針臺/Probing Test探針測試，可用來直接觀測IC內(nèi)部信號 ^_b+
o  
6、ESD/Latch-up靜電放電/閂鎖效用測試 IdTeue  
7、FIB做電路修改 EqzS={Olj  
FIB聚焦離子束可直接對金屬線做切斷、連接或跳線處理. 相對于再次流片驗證, 先用FIB工具來驗證線路設計的修改, 在時效和成本上具有非常明顯的優(yōu)勢. a5WVDh,cR  
24{!j[,q@  
芯片失效分析實驗室介紹，能夠依據(jù)國際、國內(nèi)和行業(yè)標準實施檢測工作，開展從底層芯片到實際產(chǎn)品，從物理到邏輯全面的檢測工作，提供芯片預處理、側信道攻擊、光攻擊、侵入式攻擊、環(huán)境、電壓毛刺攻擊、電磁注入、放射線注入、物理安全、邏輯安全、功能、兼容性和多點激光注入等安全檢測服務，同時可開展模擬重現(xiàn)智能產(chǎn)品失效的現(xiàn)象，找出失效原因的失效分析檢測服務，主要包括點針工作站（Probe Station）、反應離子刻蝕（RIE）、微漏電偵測系統(tǒng)（EMMI）、X-Ray檢測，缺陷切割觀察系統(tǒng)（FIB系統(tǒng)）等檢測試驗。實現(xiàn)對智能產(chǎn)品質(zhì)量的評估及分析，為智能裝備產(chǎn)品的芯片、嵌入式軟件以及應用提供質(zhì)量保證。 {= Dtajz