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芯片失效分析方式總結(jié) 芯片失效分析方式總結(jié)，因?yàn)榧夹g(shù)，經(jīng)驗(yàn)，設(shè)備缺乏等原因，我們經(jīng)常會(huì)遇到需要委托第三方實(shí)驗(yàn)室測試的情況，那么第三方實(shí)驗(yàn)室測試都是怎么進(jìn)行的？有哪些分析項(xiàng)目呢？下面小編為大家總結(jié)，有沒說到的地方，歡迎留言補(bǔ)充，小編會(huì)及時(shí)加上去，希望能幫到大家。 一、聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam 服務(wù)介紹：FIB（聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam）是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子槍加速，聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號取得電子像，此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似，或用強(qiáng)電流離子束對表面原子進(jìn)行剝離，以完成微、納米級表面形貌加工。 服務(wù)范圍：工業(yè)和理論材料研究，半導(dǎo)體，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，自然資源等領(lǐng)域 服務(wù)內(nèi)容：1.芯片電路修改和布局驗(yàn)證 2.Cross-Section截面分析 3.Probing Pad 4.定點(diǎn)切割 二、掃描電鏡（SEM） 服務(wù)介紹：SEM/EDX（形貌觀測、成分分析）掃描電鏡（SEM）可直接利用樣品表面材料的物質(zhì)性能進(jìn)行微觀成像。EDX是借助于分析試樣發(fā)出的元素特征X射線波長和強(qiáng)度實(shí)現(xiàn)的，根據(jù)不同元素特征X射線波長的不同來測定試樣所含的元素。通過對比不同元素譜線的強(qiáng)度可以測定試樣中元素的含量。通常EDX結(jié)合電子顯微鏡（SEM）使用，可以對樣品進(jìn)行微區(qū)成分分析。 服務(wù)范圍：軍工，航天，半導(dǎo)體，先進(jìn)材料等 服務(wù)內(nèi)容：1.材料表面形貌分析，微區(qū)形貌觀察 2.材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析 3.薄膜樣品表面形貌觀察、薄膜粗糙度及膜厚分析 4.納米尺寸量測及標(biāo)示 5.微區(qū)成分定性及定量分析 三、X-Ray 服務(wù)介紹：X-Ray是利用陰極射線管產(chǎn)生高能量電子與金屬靶撞擊，在撞擊過程中，因電子突然減速，其損失的動(dòng)能會(huì)以X-Ray形式放出。而對于樣品無法以外觀方式觀測的位置，利用X-Ray穿透不同密度物質(zhì)后其光強(qiáng)度的變化，產(chǎn)生的對比效果可形成影像，即可顯示出待測物的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，進(jìn)而可在不破壞待測物的情況下觀察待測物內(nèi)部有問題的區(qū)域。 服務(wù)范圍：產(chǎn)品研發(fā)，樣品試制，失效分析，過程監(jiān)控和大批量產(chǎn)品觀測 服務(wù)內(nèi)容：1.觀測DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封裝的半導(dǎo)體、電阻、電容等電子元器件以及小型PCB印刷電路板 2.觀測器件內(nèi)部芯片大小、數(shù)量、疊die、綁線情況 3.觀測芯片crack、點(diǎn)膠不均、斷線、搭線、內(nèi)部氣泡等封裝缺陷，以及焊錫球冷焊、虛焊等焊接缺陷 四、RIE 服務(wù)介紹：RIE是干蝕刻的一種，這種蝕刻的原理是，當(dāng)在平板電極之間施加10～100MHZ的高頻電壓（RF，radio frequency）時(shí)會(huì)產(chǎn)生數(shù)百微米厚的離子層（ion sheath），在其中放入試樣，離子高速撞擊試樣而完成化學(xué)反應(yīng)蝕刻，此即為RIE（Reactive Ion Etching）。 服務(wù)范圍：半導(dǎo)體，材料化學(xué)等 服務(wù)內(nèi)容：1.用于對使用氟基化學(xué)的材料進(jìn)行各向同性和各向異性蝕刻，其中包括碳、環(huán)氧樹脂、石墨、銦、鉬、氮氧化物、光阻劑、聚酰亞胺、石英、硅、氧化物、氮化物、鉭、氮化鉭、氮化鈦、鎢鈦以及鎢器件表面圖形的刻蝕 五、探針臺測試 服務(wù)介紹：探針臺主要應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)、光電行業(yè)。針對集成電路以及封裝的測試。 廣泛應(yīng)用于復(fù)雜、高速器件的精密電氣測量的研發(fā)，旨在確保質(zhì)量及可靠性，并縮減研發(fā)時(shí)間和器件制造工藝的成本。 |
