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2019 年半導(dǎo)體狀況分析 關(guān)鍵詞：集成電路；半導(dǎo)體器件；產(chǎn)業(yè)狀況。 1 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的資本投入 據(jù) IC Insights 2018 年 11 月的報(bào)道，2018 年世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出總額首次突破千億美元大關(guān)，達(dá)到 1 071 億美元，較 2017 年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出 933 億美元增長(zhǎng) 14.8%。其資本支出主要領(lǐng)域，一是全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)持續(xù)火熱，有關(guān)廠商對(duì) DRAM 和 3D NAND Flash 產(chǎn)品進(jìn)行擴(kuò)張投資；二是以功率器件為主的半導(dǎo)體產(chǎn)品對(duì)于 8 英寸晶圓生產(chǎn)能力的投資熱浪；三是中國(guó)大陸對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)投資的高漲。IC Insights 指出，2018 年存儲(chǔ)器資本開(kāi)支將占到整個(gè)半導(dǎo)體資本支出的 53%，主要是 DRAM 和 3D NAND 閃存，包括對(duì)現(xiàn)有晶圓生產(chǎn)線升級(jí)和全新生產(chǎn)線建設(shè)。隨著主要存儲(chǔ)器廠商都計(jì)劃在未來(lái)幾年內(nèi)大幅提升 3D NAND 閃存產(chǎn)能，IC Insights 認(rèn)為未來(lái) 3D NAND 閃存市場(chǎng)的風(fēng)險(xiǎn)正在聚集。圖 1 列出了 2010～2019 年各年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本投入的規(guī)模和增長(zhǎng)率。由此可見(jiàn)，受 2010 年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模大幅增長(zhǎng) 30% 以上的刺激，2010 年和 2011 年全球半導(dǎo)體資本支出分別增長(zhǎng)了 107% 和 25%。受 2012 年和 2015 年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)低迷的影響，2012～2016 年資本投入出現(xiàn)了一定幅度的衰退。2017 年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)繁榮，激勵(lì)了資本投入大幅度增長(zhǎng) 37.6%。 2019 年隨著世界集成電路產(chǎn)品出現(xiàn)供過(guò)于求及消化庫(kù)存、避開(kāi)硅周期低谷期的風(fēng)險(xiǎn)，世界半導(dǎo)體投資熱相對(duì)會(huì)出現(xiàn)新一輪回落階段[1]。IC Insights 估計(jì)，2019 年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出為 946 億美元，較 2018 年下降 11.7%。 IC Insights 給出了 2018 年資本投入最大的 5 家廠商的排名，如表 1。分析其中的數(shù)據(jù)可以看到，這 5 家廠商合計(jì)資本投入為 711 億美元，占 2018 年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總資本投入的 66%，與 2017 年相當(dāng)，并且這 5 家都是 2017 年資本投入前 5 位的廠商，排列順序除 3、4 位互換外其余與 2017 年相同。IC Insights 認(rèn)為，總體而言，2018 年占總支出 66% 的前五位公司，在 2019 年削減 14% 的資本支出，而其余半導(dǎo)體公司的資本支出則下滑 6.7%，致使全球半導(dǎo)體廠商 2019 年資本支出總額下降約 11.7%。 三星半導(dǎo)體的資本投入在 2017 年達(dá)到了驚人的 242 億美元（同比大幅增長(zhǎng) 114%）后，2018 年仍然達(dá)到 226 億美元，這兩年累計(jì) 468 億美元的高額投入，幾乎達(dá)到了英特爾和臺(tái)積電這兩年共同投入 484 億美元的水平，使得三星近兩年進(jìn)入了高速發(fā)展期。2017 年和 2018 年三星的營(yíng)收分別增長(zhǎng)了 52.6% 和 26.7%，也使得三星在 2017 年和 2018 年連續(xù)兩年榮登全球半導(dǎo)體廠商排名第一的寶座。圖 2 顯示了 2010～2018 年三星資本投入的情況，在 2010～2016 年間平均每年投入為 120 億美元，而 2017～2018 年平均每年投入 234 億美元，幾乎翻了一倍。 |
