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世界SiC產(chǎn)業(yè)分析

發(fā)布:探針臺(tái) 2020-03-19 13:42 閱讀:1677
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世界SiC產(chǎn)業(yè)分析 ,zOv-pH  
雖然我國(guó)在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈上已有所布局,但不得不直面的事實(shí)是,目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被國(guó)外企業(yè)壟斷。其中,尤以美國(guó)、歐洲、日本為大。美國(guó)的科銳Cree居于領(lǐng)導(dǎo)地位,占全球SiC產(chǎn)量的70%-80%;歐洲則擁有完整 SiC襯底、外延、器件以及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈,代表公司為英飛凌、意法半導(dǎo)體等;日本更是設(shè)備模塊開(kāi)發(fā)方面的絕對(duì)領(lǐng)先者,代表企業(yè)為羅姆半導(dǎo)體、三菱電機(jī)等。 YP`/dX"4  
他們?yōu)楹文軌蛘紦?jù)絕大部分市場(chǎng)呢?主要是這些企業(yè)大都采用IDM模式,如科銳、羅姆和其他公司都在自己的工廠(chǎng)生產(chǎn)器件,并以自己的品牌銷(xiāo)售,基本覆蓋了碳化硅襯底、外延片、器件設(shè)計(jì)與制造全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié),可以更好的加強(qiáng)成本控制與工藝品控的改進(jìn)?傮w來(lái)看,IDM模型適用于SiC。 =sUrSVUeU  
雖然IDMs將繼續(xù)占據(jù)主導(dǎo)地位,但無(wú)晶圓廠(chǎng)和代工廠(chǎng)供應(yīng)商也有發(fā)展空間。事實(shí)上,一些無(wú)晶圓廠(chǎng)的公司已經(jīng)開(kāi)始使用代工廠(chǎng)來(lái)生產(chǎn)產(chǎn)品。KLA的Raghunathan曾談到:“無(wú)晶圓廠(chǎng)模式允許初創(chuàng)企業(yè)和較小的公司在沒(méi)有重大工藝器件投資的情況下測(cè)試他們的產(chǎn)品。相反,傳統(tǒng)的晶圓廠(chǎng)保留了成為主要客戶(hù)選擇的戰(zhàn)略供應(yīng)商的優(yōu)勢(shì)。這兩種模式都在發(fā)揮各自的優(yōu)勢(shì),服務(wù)于當(dāng)前工業(yè)景觀的多樣化需求,尋求共存的方式! %9OVw #P  
與國(guó)外大廠(chǎng)相比,國(guó)內(nèi)的SiC起步相對(duì)較晚,目前與美歐日這些公司在部分環(huán)節(jié)還存在一定的差距。但從整體產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)看,相比于世界一流技術(shù),我們大約是處于其五年前的水平階段,而且這個(gè)時(shí)間差正在逐漸縮小,部分技術(shù)環(huán)節(jié)甚至是齊頭并進(jìn)。 1StaQUB  
具體來(lái)看,在SiC襯底方面,國(guó)外主流產(chǎn)品已經(jīng)完成從4寸向6寸的轉(zhuǎn)化,并且已經(jīng)成功研發(fā)8英寸SiC襯底片;而國(guó)內(nèi)SiC襯底片市場(chǎng)現(xiàn)在以4英寸為主,6英寸目前還在研發(fā)過(guò)程中,產(chǎn)品的成品率相對(duì)較低。SiC器件成本高的一大原因就是襯底貴,目前,襯底成本大約是加工晶片的50%。SiC襯底不止貴,生產(chǎn)工藝還復(fù)雜,與硅相比,碳化硅很難處理、研磨和鋸切,挑戰(zhàn)非常大。所以大多數(shù)都是從科銳、羅姆或第三方供應(yīng)商那里購(gòu)買(mǎi)襯底。 \:jJ{bl^A  
在外延片方面,我國(guó)已經(jīng)取得了可喜的成果。六英寸的碳化硅外延產(chǎn)品可以實(shí)現(xiàn)本土供應(yīng),建成或在建一批專(zhuān)用的碳化硅晶圓廠(chǎng)等。比如瑞能的碳化硅二極管產(chǎn)品以及產(chǎn)業(yè)鏈上游的碳化硅外延產(chǎn)品,早已在國(guó)外市場(chǎng)和全球頂部廠(chǎng)商直接競(jìng)爭(zhēng)。 &hnKBr(Lw  
SiC功率器件方面,目前國(guó)內(nèi)SiC功率器件制造商所采用的襯底片大多數(shù)都是進(jìn)口。國(guó)外600-1700V SiC SBD、MOSFET已經(jīng)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,主要產(chǎn)品集中于1200V以下。國(guó)內(nèi)600-3300V SiC SBD研發(fā)初見(jiàn)成效,目前也向產(chǎn)業(yè)化方向?qū)嵤瑫r(shí)1200V/50A的SiC MOSFET也研發(fā)成功,中車(chē)時(shí)代、世紀(jì)金光、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院、中電55所的6英寸SiC功率器件線(xiàn)已經(jīng)啟動(dòng)。 ! i8'gq'q  
結(jié)語(yǔ) Ey&gZ$|&  
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作為全球半導(dǎo)體應(yīng)用最大的國(guó)家,我國(guó)已經(jīng)意識(shí)到發(fā)展第三代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要性。行業(yè)專(zhuān)家推測(cè),在未來(lái)的5年的時(shí)間內(nèi),中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將會(huì)迎來(lái)一個(gè)“高潮期”。希望有更多的企業(yè)投入到碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的各個(gè)環(huán)節(jié),同時(shí)希望行業(yè)內(nèi)企業(yè)能沉下心來(lái)發(fā)展碳化硅技術(shù),成熟的技術(shù)和可靠的產(chǎn)品才是產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的重要基石。
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